资料下载|碳化硅功率器件 特性、测试和应用资料

本文档详细介绍了碳化硅功率器件的特性、测试和应用技术，涵盖了从基本理论到实际应用的广泛内容。以下是该文档的详细简介：

1. 功率半导体基础

• Si功率器件的发展与不足：介绍了Si功率器件的历史发展、基本原理及其局限性。
• SiC功率器件的优势：基于半导体材料特性，比较SiC功率器件与Si功率器件的优势。
• SiC功率器件和封装的发展现状：介绍目前市场上商用SiC功率器件的技术水平和发展趋势。

2. SIC MOSFET参数的解读、测试及应用

• 最大值参数：包括击穿电压、热阻抗、最大耗散功率和最大漏极电流等参数的定义与测量方法。
• 静态特性参数：涵盖传递特性、阈值电压、输出特性和导通电阻等参数的定义与测量方法。
• 动态特性参数：涉及结电容、开关特性和体二极管反向恢复过程等参数的定义与测量方法。
• FOM值与建模仿真：通过具体公式计算器件损耗，并利用模型进行仿真分析。
• 器件建模与损耗计算：提供详细的建模方法和损耗计算步骤，帮助工程师更好地理解和设计变换器。

3. 双脉冲测试

• 换流模式分析：以典型功率变换拓扑为例，说明采用双脉冲测试评估开关特性的合理性。
• 双脉冲测试原理：详细介绍双脉冲测试的基本原理和参数设定方法。
• 测试平台与设备：介绍用于双脉冲测试的主要设备和测量挑战。

4. SIC 器件与SI器件特性对比

• 静态特性对比：包括SiCMOSFET与SiSJ-MOSFET的对比，SiCMOSFET与SiIGBT的对比。
• 动态特性对比：涵盖SiCMOSFET体二极管、SiFRD、SiSJ-MOSFET体二极管的对比。
• 关断电压尖峰的影响及应对措施：讨论关断电压尖峰及其影响，并提出相应的应对措施。
• 共模电流的影响及应对措施：介绍共模电流的产生机理及其对系统的影响，并提出高CMTI驱动芯片等解决方法。

5. di/dt的影响与应对—关断电压过冲

• 关断电压过冲影响因素：详细分析关断电压过冲的影响因素。
• 应对措施1—回路电感控制：介绍回路电感控制在降低关断电压过冲中的作用。
• 应对措施2—去耦电容：探讨去耦电容在抑制关断电压过冲中的应用。
• 应对措施3—降低关断速度：提出通过降低关断速度来缓解关断电压过冲的方法。

6. dv/dt的影响与应对—crosstalk

• crosstalk基本原理：介绍crosstalk的基本原理和关键影响因素。
• 关键影响因素及应对措施1—米勒钳位：阐述米勒钳位技术在抑制crosstalk中的应用。
• 关键影响因素及应对措施2—回路电感控制：介绍回路电感控制在减少crosstalk中的作用。

7. 高dv/dt的影响与应对—共模电流

• 信号通路共模电流特性：分析信号通路中的共模电流特性及其对系统的影响。
• 应对措施1—高CMTI驱动芯片：介绍高CMTI驱动芯片在抑制共模电流中的作用。
• 应对措施2—高共模阻抗：探讨提高系统共模阻抗的方法。
• 应对措施3—共模电感设计：提出优化共模电感设计来抑制共模电流的策略。

8. 共源极电感的影响与应对

• 共源极电感及其影响：详细描述共源极电感对开关特性的影响。
• 开尔文源极封装的优势：介绍开尔文源极封装在减小寄生参数中的优势。
• 创新测试评估方法：提出针对共源极电感的创新测试评估方法。

9. 驱动电路设计

• 驱动电路架构与发展：介绍驱动电路的基本架构及其发展历程。
• 驱动电阻取值与驱动电压设计：详细说明驱动电阻取值和驱动电压设计的基本原则和方法。
• 信号隔离传输与短路保护技术：探讨信号隔离传输和短路保护技术在驱动电路设计中的应用。

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