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下载1个资源资料下载|智能驾驶之激光雷达关键算法详解
一、背景 智能驾驶，作为辅助驾驶和自动驾驶的统称，借助先进的传感器、控制器等设备，融合人工智能算法，实现辅助驾驶甚至无人驾驶。随着智能驾驶热潮兴起，整车厂、零部件供应商、互联网科技公司等各方积极投身智能驾驶技术研究，推动其商业化落地。 目前，智能驾驶感知技术主要分为以相机和激光雷达为主导的多传感器融合方案。相机感知方案成本低，但在精度、稳定性、场景适应性及非标准静态物体识别上存在局限。激光雷达凭借…...- 1
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DeepSeek回答如何成为一名优秀的电动汽车电驱工程师
我们想成为一名优秀的电动汽车电驱工程师，看看人工智能是怎么要求的? 要成为一名优秀的电动汽车电驱工程师，需要掌握多学科知识、技术技能以及对行业趋势的敏锐洞察。以下是结合技术要求和人工智能相关领域的发展方向给出的建议： 1. 核心专业知识 电机原理与设计 精通永磁同步电机（PMSM）、感应电机（IM）等主流电机的结构、控制原理及性能优化。 熟悉电机电磁场分析、热管理、NVH（噪声振动）优化。 了解新…...- 1
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哈尔滨工业大学：SiC MOSFET 隔离式高速驱动电路设计
文章来源：中国科技论文在线 作者：李刚，高强，金淼鑫，李晓璐（哈尔滨工业大学电气学院，哈尔滨 150006）摘要：近年来随着宽禁带器件的逐步商业化，其市场占有率迅速攀升。为了充分体现 SiC 器件的优势，本文以高温石油井下参数测量系统为背景，首先分析了 SiC MOSFET 开关过程，并总结了驱动要求。在此基础上设计了基于分立器件的 SiC MOSFET 高速隔离驱动电路，并搭建了双脉冲测试平台，…...- 0
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动力电池电气系统安全设计（二十二）防凝露设计之提前预防
上篇文章今日寒露，聊聊电池包的凝露介绍了自然界和电池包露水产生的机理，我们就先回顾下电池包凝露产生的机理： 一、电池包凝露产生机理 1、根源在于水汽不断进入： 电池包的充放电引发呼吸效应，外部水汽可通过防爆阀透气膜，随着空气自由进入包内，而凝结成的液态水却排不出去； 2、产生条件： 当包内高温的湿润空气，接触到低于露点温度的部件时，水汽就会液化形成凝露。 二、电池包内凝露部位 1、电池包壳体： 壳…...- 0
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资料下载|新能源汽车电驱动技术手册
这份技术手册是新能源汽车电驱动领域的系统性权威资料，以清晰的章节架构覆盖从产业认知到技术落地、从核心部件到系统集成的全链条内容，融合海量实测数据、工程设计细节、典型应用案例与实操验证方法，兼具专业性与实用性，是新能源汽车行业技术人员、研发从业者及相关学习者深耕电驱领域的优质学习资源，诚邀下载深入研读。 核心章节内容概览 新能源汽车电驱动产业发展情况：明确新能源汽车的定义、分类与发展历程，详解202…...- 2
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碳化硅mos驱动电路设计浅谈
碳化硅（SiC）MOS管作为一种新型功率器件---宽带隙（WBG）技术，在开发与应用中，相同功率等级的Si MOSFET与SiC MOSFET相比，SiC mosfet导通电阻，开关损耗低，工作频率更高，更适用高温工作，高温稳定性好。 碳化硅MOSFET越来越多用于千瓦级功率水平应用，涵盖如通信电源，和服务器电源，和快速增长的电动汽车电池充电器市场等领域。碳化硅MOSFET之所以有如此的大吸引…...- 0
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干货分享 | TSMaster 信号映射的配置方法
TSMaster信号映射模块可以将数据库变量映射为系统变量，经过映射后的系统变量就等同于数据库中的变量，该系统变量的读写操作就等同于读写数据库变量。其在系统软件中的位置如下图所示： 信号映射模块设计的目的，就是为了实现上层应用层逻辑和下层数据库变量的解耦合。如果上层应用层直接操作数据库中的变量，一旦数据库发生变动，介于这种强耦合关系，会造成上层开发，比如Panel，测试脚本等需要修改对应的数据库变…...- 1
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铜铝排专题：铜铝排全自动条料成型
传统铝排加工生产是先折弯后加工（剥皮、冲孔、焊接）的顺序，又叫做卷料工序，由于折弯后产品异形操作不方便。 剥皮、冲孔、焊接的加工难度较大，造成整体产线效率不高，需要大量人工(30人左右），这就迫切需要设备厂家进行工艺优化，并提供整套自动化方案。 一、自动生产方案 针对行业难点，深圳市凝创机械设备有限公司优化工序为 “先加工后折弯” 的直条料工序，利用直条料 “好定位、好加工、好夹持” 的特性提升效…...- 0
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动力电池配电盒BDU安全设计（二）铜排
一、铜排设计 1、BDU内的铜排应固定牢固，合理使用固定结构；铜排安装点在规定力矩的正常安装条件不应发生变形、开裂等损坏； 2、材质：铜排:采用T2M和T2Y2的紫铜,截面为矩形或倒圆角矩形； 软母排:软铜排是由多层0.5mm扁平薄铜排叠加，外层采用挤塑方式包裹绝缘层； 3、铜排需按照 GB/T 2040-2017《铜及铜合金板材》的要求制造； 4、铜排的电阻率不大于 0.01774Ω.mm²/…...- 0
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新能源汽车BMS芯片浅析
在电动汽车当中，电池是电动汽车的动力来源，其容量及能量密度影响着汽车的续航，其品质影响着汽车的安全性能。而电池的性能和寿命则是衡量电动汽车性能的重要指标。如何掌握这些指标并保证每颗电池的运行状态达到最优？如何避免应用中的电池过度充、放电，改善电池组中各单体电池的不对称性，提高电池组的效率，延长其使用寿命都是电动汽车的关键技术问题 。 1️⃣ 电池管理系统 电池管理系统(Battery Manage…...- 0
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应用笔记 | 在TSMaster中加载基于DotNet平台的Seed&Key
在UDS诊断过程中，会涉及到安全访问的问题，也就是所谓的Seed&Key。TSMaster 诊断模块支持通过.dll文件载入 Seed&Key 算法用于安全访问解锁。在最近发布的TSMaster 2024.03版本中不仅支持了C/C++，Delphi等语言封装的DLL文件，也新增支持了基于DotNet平台如C#，VB.Net等语言编写的DLL，高效兼容不同平台生成的安全访问dll，…...- 1
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绝缘检测电桥法中的几个重要概念
最近查找了国内许多绝缘检测的相关专利，前文整理分享过给大家；总体来讲，国内针对绝缘检测的主流方案还是电桥法，在很多友商的产品上都会见到。 前面多多少少写过两篇关于电桥法的内容，今天就继续介绍电桥法的几个关键概念。 平衡电桥与不平衡电桥 这两个概念经常遇到，但又很难找到官方的出处，这里大概把它们澄清一下。 平衡电桥 是指人为并入上下桥臂的电阻阻值是相等的，在下图中，即R1=R2；它引入电路的改变是平…...- 1
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干货分享 | TSMaster报文发送的信号生成器操作说明
信号生成器功能是TSMaster分析中的报文发送模块。信号生成器用于发送和配置每个 CAN/LIN 信号的值变化行为，简而言之，这是一个可以控制和调整CAN/LIN信号值的功能。我们可选择的信号生成器类型有8种，今天重点和大家分享一下关于TSMaster信号生成器的8种类型的使用方式。 本文关键字：信号生成器、正弦、斜坡脉冲、值范围、切换、随机、自定义、系统变量 一、信号生成器类型之无 在CAN/…...- 0
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西安交通大学：用于直流变换器的 SiC MOSFET驱动电路设计
文章来源：电子设计工程西安交通大学城市学院 电气与信息工程系：韩 芬，张艳肖，石 浩摘要：碳化硅器件的优点不仅能提高电力电子装置功率密度，而且使设备体积小型化。设计了一种用于直流变换器的 SiC MOSFET 驱动电路，通过双脉冲电路对 SiC MOSFET 的动态特性进行测试，验证不同驱动电阻、不同频率对碳化硅功率器件特性的影响。在直流变换器中使用电压等级相同的 SiC MOSFET 和 Si …...- 0
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车载逆变电源开关器件损耗计算方法研究
文章来源：船电技术 作者：石运卓，席嚇，单宝钰（中车大连电力牵引研发中心有限公司，辽宁大连 116022） 摘要：损耗计算是影响开关器件使用寿命的重要因素，也是车载逆变电源设计开发过程的重要环节。本 文对传统的理论计算方法和试验计算方法进行梳理分析，提出了一种基于电力电子仿真的损耗计算方法。 以开关器件为 IGBT 的三相逆变拓扑为例进行损耗计算，并通过与上述两种计算方法进行比较，得出该方法 在简…...- 0
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SiC MOSFET功率器件 :开关电路的功率损失计算
文章来源:罗姆半导体（ROHM） 摘要： 确认电源电路的设计没有超过各设备所容许的损失是很重要的。怠慢这个的话器件可能会导致热破坏。该应用笔记中记载了使用 SiC MOSFET 的开关电路中开关动作时 SiC MOSFET 产生的功率损失的计算方法。 损耗測定电路 作为测量功率器件开关参数的标准方法，有双脉冲测试。测量 电路如 Figure 1 所示。双脉冲测试通过感应负载和电源进行。 开关元件的…...- 0
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资料下载|基于查表法的永磁同步电机MTPA/MTPV控制仿真模型
基于查表法的永磁同步电机MTPA/MTPV控制仿真模型，电动汽车用永磁同步电机PMSM控制资料，波形很好，跟踪稳定。 模型全览 波形稳定 模型文件 电机控制学习文档 一如既往的很干，带好水杯下载食用！...- 0
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TSMaster图形模块功能详解（二）—— 以CAN信号为例
接着上篇关于《TSMaster图形模块功能详解》干货文章，继续给大家分享。 四、高亮信号相关操作 4.1 勾选高亮信号与取消勾选高亮信号 4.1.1 勾选高亮信号 以EngForce、EngTorque以及EngSpeed为例，在图形窗口中EngTorque和EngSpeed信号执行了勾选高亮信号操作，所以在图形里可以看到这两个信号的波形，但是却没有EngForce信号的波形。 因此，对某信号执行…...- 0
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全桥 DC-DC 变换器中 SiC 器件损耗分析
文章来源：电工技术 作者：李赫1, 郝欣2, 赵千淇1, 程旭峰1(1. 河北科技大学机械工程学院,; 2. 英飞凌科技(中国)有限公司) 摘 要 ：目前以碳化硅(SiC)MOSFET 为代表的第三代宽禁带半导体有着高工作频率、低开关损耗、耐热性高等优点,可以有效地降低 DC/ DC 变换器的整体损耗,提升电能转换效率。 在以金属氧化物半导体场效晶体管(metal-oxide-semiconduc…...- 0
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一文了解碳化硅（SiC)MOSFET的性能优势及应用
前言 SiC作为第三代半导体产业发展的重要基础材料，SiC MOSFET器件具有更高的开关频率和使用温度，能够减小电感、电容、滤波器和变压器等组件的尺寸，提高系统电力转换效率，并且降低对热循环的散热要求。在电力电子系统中，应用碳化硅MOSFET器件替代传统硅IGBT器件，可以实现更低的开关和导通损耗，同时具有更高的阻断电压和雪崩能力，显著提升系统效率及功率密度，从而降低系统综合成本。 碳化…...- 0
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广汽昊铂GT [星灵电子电气架构] 分析
2021年11月8日，广汽「 星灵电子电气架构 」正式发布，该架构实现了车端和云端之间的一体化集中计算，如下图所示。并且当时宣称在2023年落地量产。 ▲图1 星灵电子电气架构 如今2023年已经过去了，听说星灵电子电气架构在昊铂品牌车型上落地了，一起来看看落地的星灵架构。 首先从供电电路来看，与其他主机厂不同的是，确实如星灵架构宣传的电源备份，包括蓄电池和重要控制器供电备份，如下图所示，中央计算…...- 0
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标准解读 | 强制性国家标准 GB 24550-2024《汽车对行人的碰撞保护》
近日，国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会批准发布新版《汽车对行人的碰撞保护》国家标准。该标...- 0
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轻松了解功率MOSFET的雪崩效应
原创：安森美 在关断状态下，功率MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。MOSFET体二极管的击穿或雪崩表明反向偏置体二极管两端的电场使得漏极和源极端子之间有大量电流流动。典型的阻断状态漏电流在几十皮安到几百纳安的数量级。 根据电路条件不同，在雪崩、MOSFET漏极或源极中，电流范围可从微安到数百安。 额定击穿电压，也可称之为“BV”，通常是在给定温度范围（通常是整个工作…...- 0
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