碳化硅（SiC）MOS管作为一种新型功率器件—宽带隙（WBG）技术，在开发与应用中，相同功率等级的Si MOSFET与SiC MOSFET相比，SiC mosfet导通电阻，开关损耗低，工作频率更高，更适用高温工作，高温稳定性好。
碳化硅MOSFET越来越多用于千瓦级功率水平应用，涵盖如通信电源，和服务器电源，和快速增长的电动汽车电池充电器市场等领域。碳化硅MOSFET之所以有如此的大吸引力，在于与它们具有比硅器件更出众的可靠性，在持续使用内部体二极管的连续导通模式（CCM）功率因数校正（PFC）设计，例如图腾功率因数校正器的硬开关拓扑中，碳化硅MOSFET可以得到充分利用。此外，碳化硅MOSFET也可应用更高的开关频率，因而可以实现体积更小，更加紧凑的电源转换器设计。
一．常见的Vgs与Vgs(th)，以及对SiC MOSFET应用的影响
驱动电压Vgs和栅极电压阈值Vgs(th)关系到SiC MOSFET在应用过程中的可靠性，功率损耗(导通电阻)，以及驱动电路的兼容性等。这是SiC MOSFET非常关键的参数，在设计过程中需要重点考虑。在不同的设计中，设置不同的驱动电压会有更高的性价比。下图1 列出几个常见厂家部分SiC MOSFET的Vgs与Vgs(th)值作对比。
图1：
二. SiC MOSFET驱动电压设置探讨
如图所示，SiC MOSFET 驱动电压正向最大值在22V~25V左右，推荐的工作电压主要有+20V,+18V两种规格，具体应用需要参考不同SiC MOSFET型号的DATASHEET。Vgs超过15V时，无论是导通内阻还是导通电流逐渐趋于平缓 (各家SiC MOSFET的DATASHEET给出的参考标准不同，有的是Rds(on)与Vgs的曲线，有的是Id与Vgs的曲线)。当然驱动电压Vgs越高，对应的Rds(on)会越小，损耗也就越小。
设计小建议：Vgs设定Vgs时不能超过DATASHEET给定的最大值，否则可能会造成SiC MOSFET永久损坏。
设计小建议：SiC MOSFET建议使用+18V驱动电压。对降低驱动损耗以及减少Vgs过冲损坏更加有益。
考虑到与15V驱动的Si IGBT 兼容，各家设计公司都在开发+15V驱动电压的器件。
负压关断电压：建议-3V~-5V。
三.碳化硅mosfet优势
1.低损耗
半导体元器件导通损耗与它的击穿场强是反比，导通损耗小，并不会因温度变化而变化。
2.开关速度更快
SiC热导系数=2.5*Si SiC饱和电子漂移率= 2*Si SiC工作频率高
3.高阻断电压
SiC击穿场强=10*Si (或是更多) SiC阻断电压 > Si阻断电压
4.在高温下可工作
SiC有着高度稳定晶体结构，宽度2.2eV—3.3eV （等于2*Si 或更多）
SiC最大高温度200 ºC以上
五. 碳化硅mosfet驱动电路
SiC MOSFET 与Si MOSFET比较
1.SiC MOSFET寄生电容更小，对驱动电路寄生参数更敏感。
2.SiC MOSFET驱动电压-5V~ +25V（建议电压-3V/+18V），Si MOSFET驱动电压-30V~+30V（建议电压0/+15V）
3.SiC MOSFET安全阈值小；
4.SiC MOSFET有专用驱动芯片
