随着新能源技术的快速发展,对大功率半导体器件的需求日益增加。特别是在可再生能源领域,需要能够承载巨大电流的功率器件。然而,由于生产成本、技术难度以及市场需求等因素的限制,单一的大功率半导体器件往往难以满足这些应用的需求。因此,大功率IGBT和SiC MOSFET的并联设计成为了一种有效的解决方案。 SiC 功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。与硅基转换器相比…...
SiC 和 GaN 被称为“宽带隙半导体”(WBG)。由于使用的生产工艺,WBG 设备显示出以下优点: 1.宽带隙半导体 氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)在带隙和击穿场方面相对相似。氮化镓的带隙为3.2 eV,而碳化硅的带隙为3.4 eV。虽然这些值看起来相似,但它们明显高于硅的带隙。硅的带隙仅为1.1 eV,比氮化镓和碳化硅小三倍。这些化合物的较高带隙允许氮化镓和碳化硅舒适地支持更高…...
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