-
轻松了解功率MOSFET的雪崩效应
原创：安森美 在关断状态下，功率MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。MOSFET体二极管的击穿或雪崩表明反向偏置体二极管两端的电场使得漏极和源极端子之间有大量电流流动。典型的阻断状态漏电流在几十皮安到几百纳安的数量级。 根据电路条件不同，在雪崩、MOSFET漏极或源极中，电流范围可从微安到数百安。 额定击穿电压，也可称之为“BV”，通常是在给定温度范围（通常是整个工作…... -
1700V碳化硅(SiC MOSFET）器件的应用案例
硅基器件的解决方案在效率和可靠性方面通常无法兼得，也不能满足如今在尺寸、重量和成本方面极具挑战性的要求。随着高压碳化硅（SiC）MOSFET的推出，设计人员现在有机会在提高性能的同时，应对所有其他挑战。 650V-1200V的SiC功率器件的市场应用率越来越高，随着额定电压为1700V-3300V的功率器件的推出，SiC技术的众多优势已惠及新兴终端设备细分市场，包括电动商用和重型车辆、轻…... -
动力电池电气系统安全设计（二十三）防凝露设计之热管理调控
凝露的核心诱因是电池包内部气温与箱体的温差达到凝露阈值，因此也可以通过优化热管理系统的策略，来减弱和防止凝露产生。 本文介绍两种热管理防凝露的调控方法：温差控制和凝露质量控制。 一、温差控制方法： 热管理温差控制原理是通过实时监测并调节 “电池包内部温度” 与 “箱体温度”，确保两者温差始终小于凝露的临界值（如 5-8℃，根据工况预设），具体实施分为三个步骤： 1、采集温度： 通过温度传感器采集…... -
锂枝晶的形成机理与防治
导读： 最近，材料匠交流群里关于锂离子损耗降低锂离子电池容量的话题，引发以下 的热议： 锂离子电池容量降低的主要原因之一是锂元素（化合物和离子）的不可 逆损失，即形成了不可逆的锂化合物或者锂金属。 不可逆的锂化合物是形成 SEI 膜的主要成分之一，而不可逆的锂金属主要是形 成了枝晶锂和死锂。对于我们初学者来说，怎么理解锂 枝晶 更容易一些呢？ 本文主要结合文献和实际工作经验讲述以下几个问题： 1.…... -
冬天为什么锂电池容量会变低 ，终于有人能讲明白了 ！
锂离子电池自从进入市场以来，以其寿命长、比容量大、无记忆效应等优点， 获得了广泛的应用。锂离子电池低温使用存在容量低、衰减严重、循环倍率性能差、析锂现象明显、脱嵌锂不平衡等问题。然而，随着应用领域不断拓展，锂离子 电池的低温性能低劣带来的制约愈加明显。 据报道， 在-20℃时锂离子电池放电容量只有室温时的 31.5%左右 。传统锂 离子电池工作在-20~+55℃之间。但是在航空航天、军工、电动车等…... -
一分钟带你了解TSMaster小程序编辑代码智能提示功能
本文给大家带来TSMaster小程序编辑的新功能，其中主要包含： 代码编辑智能提示功能 可用外部代码编辑器编辑小程序代码并同步 本文关键词：C小程序、Python小程序、代码智能提示、外部代码编辑器、Visual Studio 1.TSMaster的代码编辑器 TSMaster软件中内置了C小程序和python小程序，可以在小程序中编辑C或者python代码，方便开发人员对同星硬件和TSMaste…... -
SIC 碳化硅MOS管应用于感应加热领域
感应加热是通过电磁感应加热导电物体(通常是金属)的过程，通过物体内部的涡流产生热量。感应加热器由电磁铁和电子振荡器组成，电子振荡器产生的高频交流电流通过电磁铁绕组。快速的交变磁场穿过金属体，在导体内部产生电流，称为涡流。涡流流过导体的电阻，做功产生热量。在铁磁性材料，如铁，热也可能由磁滞损失而产生。使用的电流频率取决于物体大小，材料类型，耦合(工作线圈和被加热物体之间)和穿透深度。感应加热是提供快…... -
碳化硅器件的选型设计与应用优势案例
一.碳化硅器件的性能优势碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一。相比传统的硅材料（Si），碳化硅的禁带宽度是硅的3倍；导热率为硅的4-5倍；击穿电压为硅的8-10倍；电子饱和漂移速率为硅的2-3倍，满足了现代工业对高功率、高电压、高频率的需求，主要被用于制作高速、高频、大功率及发光电子元器件，下游应用领域包括智能电网、新能源汽…... -
碳化硅 MOSFET 驱动电路的研究与设计
文章来源：智慧轨道交通 作者：杜太磊（中车青岛四方车辆研究所有限公司，山东 青岛266031）摘 要：随着碳化硅功率器件技术的不断发展，碳化硅功率器件发展优势明显，将逐步成为未来主流功率半导体器件。多家公司推出了多款碳化硅MOSFET，但是对于高压应用的碳化硅MOSFET驱动产品还处于半空白状态。文章针对 Ａ 公司FF11MR12W1M1B11型碳化硅模块的驱动进行了研究与设计，在满足碳化硅驱动电…... -
铜铝排专题：铜铝排剥皮
铜铝排作为电气设备中常用的导电材料，其表面通常会有绝缘层（如漆膜、氧化层或包裹的绝缘材料），在连接或加工前需要进行剥皮处理。 图片来源：苏州胜禹 以下介绍铜铝排的常见剥皮方式及对应的设备： 一、铜铝排常见剥皮方式 根据铜铝排的规格（厚度、宽度）、绝缘层类型及加工精度要求，剥皮方式主要分为机械剥皮、化学剥皮、热剥法和激光剥皮四大类： 1. 机械剥皮 通过物理切削、磨削或挤压等方式去除绝缘层，是工业中…... -
动力电池配电盒BDU安全设计（十四）环境性能测试
为方便阅读，先放个本章的思维导图。 一、存储温度 1、要求： BDU应能在最高存储温度95℃和最低存储温度-40℃范围内存储。 2、存储温度性能测试： 将BDU按要求放置在环境箱内，进行2个循环测试。每个循环24 h，在最高存储温度95℃和最低存储温度-40℃下各保持12h。 3、判定准则： BDU恢复常温后，外观及功能正常，性能符合要求。BDU内部各零件安装点、铜排连接点力矩衰减不超过30%。…... -
标准解读 | 强制性国家标准 GB 21670—2025《乘用车制动系统技术要求及试验方法》
2025年5月30日，工业和信息化部组织制定的强制性国家标准《乘用车制动系统技术要求及试验方法》（GB 21670 - 2025），由国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会批准发布，2026年1月1日起实施 。 来源：中汽中心标准院... -
1个资源1个资源
什么是智能驾驶仿真测试
智能驾驶仿真测试 主要是以数学建模的方式将自动驾驶的应用场景进行数字化还原， 建立尽可能接近真实世界的系统模型，无需实车直接通过软件进 行仿真测试便可达到对智能驾驶系统及算法的测试验证目的 具体 请大家从下面链接提取内容... -
车规级SiC MOSFET产品介绍及应用
当前Si半导体已逼近物理极限，以SiC为代表的第三代半导体在新能源性能车的首选。SiC材料拥有禁带宽度大，具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势，因此采用第三代半导体材料制备的半导体器件不仅能在更高的温度下稳定运行，适用于高电压、高频率场景，此外还能以较少的电能消耗，获得更高的运行能力。 2018年，特斯拉Model 3主驱逆变器里首次使用碳化硅MOSFET以替代传统硅基IG…... -
电池容量衰减变化及原因分析
正负极、电解液及隔膜是组成锂离子电池的重要成分。锂离子电池的正负极分 别发生锂的嵌入脱出反应，其正负极的嵌锂量成为影响锂离子电池容量的主要因素。因此，必须维持锂离子电池正负极容量的平衡性，才能确保电池具备最佳性 能。... -
TSMaster 测试报告生成器操作指南
用户在基于 TSMaster 软件开发测试用例时，或需要使用 TSMaster 生成 HTML 报告时，需要使用 TSMaster 测试报告生成器。 一、Test_Report 说明 Test_Report 是目前 TSMaster 为客户提供的一套测试报告模板，里面集成了测试报告的打印输出、图片展示、测试状态显示、测试通过率/失败率显示、以及执行时间显示为一体，测试报告示例如下图： …... -
DeepSeek回答如何成为一名优秀的电动汽车工程师
我们想成为一名优秀的电动汽车工程师，看看人工智能是怎么要求的? 要成为一名优秀的电动汽车工程师，尤其是在结合人工智能（AI）技术的背景下，需要跨学科的知识储备、技术能力和行业认知。以下是综合传统工程能力和AI相关技能的要求和建议： 一、核心基础能力 1.传统汽车工程知识 机械与电气基础：掌握车辆动力学、电机驱动系统、电池技术（如锂离子电池）、电力电子（逆变器、DC-DC转换器）等。 热管理与能效优…...
扫码打开当前页
扫码关注
-
￥优惠劵使用时效：无法使用使用时效：
之前
使用时效：永久有效优惠劵ID：×
最新评论