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动力电池模组系统安全设计（二）电芯膨胀力
在讲解CCS系统时，为了避免和减少电芯的膨胀力影响，CCS不少地方做了不少相应设计，比如：汇流排设计成凸筋或凹筋结构、FPC焊接镍片的位置采用镂空或者折弯结构。 在模组设计过程中，电芯的膨胀力无处不在，影响着模组的整体和零部件设计，那么电芯膨胀力是怎么来的？呈现什么特征，工程上又是怎么测量的呢？ 一、膨胀力的来源 可以分 “可逆” 与 “不可逆”的膨胀力两类，前者随充放电动态变化，后者随使用次数持…... -
电池包热管理安全-液冷板DV测试
电池包液冷板测试方案 一、质量测量 （一）外观 1. 检验要求 液冷板所有焊接处应平整、光洁、牢固可靠，不存在过多的焊料堆积。 液冷板侧面不应出现边缘碎裂、明显磕碰划伤等缺陷。 若液冷板有涂层，涂层色泽需均匀，且无涂层脱落、磕碰损伤现象。 2. 检验方法 在亮度≥500lx 的环境下，采用目视方法对试验件进行全面检测。 （二）平面度 1. 检验要求 电芯区域平面度≤0.2mm。 2. 检验方法 平…... -
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TSMaster MBD模块全解析：从模型搭建到自动化测试的完整实践
目录 1 符号说明 2 MBD 说明 3 MBD 基本功能介绍 4 Block(组件)说明 5 MBD 模型 6 MBD 工程搭建与解析 7 MBD 工程结果 8 组件相关 一、符号说明 关于手册 以下表格罗列了手册中使用到的样式和符号。 样式 使用场景 【】 表示点击的界面元素、窗口和对话框的名称。 加粗 用于文本信息的强调。 超链接 超链接和引用。 <CTRL>+&l…... -
大电流下SiC MOSFET功率模块的驱动器研究
文章来源：电气传动作者:温传新1，朱金大1，武迪1，云阳1，程远2，杜博超2（1.国电南瑞科技股份有限公司，2. 哈尔滨工业大学 电气工程及自动化学院)摘要：由于碳化硅（SiC）MOSFET具有高频、低损耗、高耐温特性，在提升新能源汽车逆变器效率和功率密度方面具有巨大优势。对于SiC MOSFET功率模块，研究大电流下的短路保护问题、高开关速度引起的驱动振荡问题尤为重要。针对这些问题，设计了大电流…... -
标准解读 | 推荐性国家标准GB/T 19055—2024 《汽车发动机可靠性试验方法》
近日，国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会批准发布新版《汽车发动机可靠性试验方法》国家标准。该标准由工业和信息化部提出，将于2024年12月1日起正式实施。... -
一文了解整车网络管理的来龙去脉
之前写过 一篇易懂的整车网络管理指南 介绍了如何实现休眠管理，最近从供应商角度来做网络管理功能的软件实现，有了一些新的体会，在此基础上再次汇总分享下。 首先了解网络管理产生的背景，其次介绍网络唤醒的机理，再介绍网络唤醒的实现方式，最后介绍网络唤醒的具体实现。 1 为什么需要进行网络管理？ 网络管理的根据动机就是 减小电耗 ， 控制器不需要工作时休眠，需要工作时被唤醒起来 。为什么以前不需要而现在需…... -
西安交通大学：SiC MOS 在有源功率因数校正电路中的应用
文章来源：韩 芬（西安交通大学城市学院 ）摘要：为了提高开关电源的工作频率，降低开关损耗，减少电磁污染等，采用第三代半导体功率器件SiC MOS代替传统的Si MOS，同时采用有源功率因数校正技术来提高开关电源的利用率。该文分析了整个电路的工作原理，利用Matlab仿真软件对电路进行了仿真。仿真结果表明，在开关电源中使用SiC MOS可以提高开关频率，降低开关损耗，提高电源的利用率。功率…... -
LFP 电池循环初期衰减快原因分析及改善 ！
目前，对磷酸铁锂电池循环失效的报道大多是针对全寿命周期，其原因集中在 阻抗的增加、电解液的消耗、浆料的脱落、集流体腐蚀 等因素。而拆解循环前期 的电芯结果显示：阻抗变化不明显；电解液充足；浆料的集流体之间黏结紧密；极 片电阻无明显变化；集流体性能未变差。因此， 对于磷酸铁锂前期循环衰减原因 的研究很有意义。... -
标准解读 | 推荐性国家标准 GB/T 40711.5—2025 乘用车循环外技术/装置节能效果评价方法 第5部分：发电机
2025年4月25日，国家市场监督管理总局、国家标准化管理委员会批准发布GB/T 40711.5—2025《乘用车循环外技术/装置节能效果评价方法 第5部分：发电机》。该标准由工业和信息化部提出，由全国汽车标准化技术委员会（SAC/TC114）归口。 标准拟配合《乘用车企业平均燃料消耗量与新能源汽车积分并行管理办法》实施。... -
SiC和Si技术之间的差异： 主要差异 、关键优势和不同的参数等
清洁能源技术的重视与芯片短缺问题 ，该领域迫切需要更高效 、更智能的解决方案。 一种新的半导体材料 ，碳化硅（SiC） ，正逐渐在电子行业中占据一席之地 。这种与硅类似的物质 ， 因其卓越的性能和高效能源效率而受到广大瞩目 。碳化硅首次由 美国发明家Edward G. Acheson在1891年发现 ， 当时他正在尝试制造人造钻石 。这一发现标志着一个传奇材料的诞生。... -
碳化硅MOSFET（SiC ）电机控制器
资料来源：深圳爱仕特（版权专有 违者必究） 前言： 电机控制器是新能源汽车中电池电能转换机械能的控制部分，功率控制模块是电机控制器中核心电能转换器件。功率控制模块所采用的半导体材料的性能优劣将直接影响整车电机控制器在响应速度、稳定性、灵敏程度、续航里程、充电速度等多个方面的表现。正是在这样的背景下，SiC（碳化硅）电机控制器应运而生。 SiC能够提升电控系统中低负载的效率，整车续航里程增长5~10…... -
中国科学院：SiC MOSFET器件高温下最大电流导通能力评估方法
文章来源：电源学报 作者：李华康1 ，2 ，宁圃奇1 ,2 ，康玉慧1，曹 瀚 1，2 ，郑 丹1 (1. 中国科学院电工研究所；2. 中国科学院大学) 摘要：碳化硅（SiC）器件被认为是一种良好的耐高温半导体器件，高功率密度和高温应用需要更深入地研究损耗和散热问题。本文研究了SiC MOSFET功率模块在高温下的最大电流导通能力，考虑了电气性能和散热的相互关系。在建立SiC MOS…... -
1200V/840A碳化硅模块封装技术及驱动设计
文章来源：华侨大学作者：戴家庆摘要:碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，比传统的硅基器件具有更优越的性能。碳化硅SiC MOSFET作为一种新型宽禁带半导体器件，具有导通电阻低，开关损耗小的特点，可降低器件损耗，提升系统效率，更适合应用于高频电路。碳化硅SiC MOSFET这些优良特性，需要通过模块封装以及驱动电路系统，才能得到完美展现。为此，本文针对碳化硅SiC MOSFE的封装技术以及驱动设计进行…... -
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资料下载|新能源汽车电驱动技术手册
这份技术手册是新能源汽车电驱动领域的系统性权威资料，以清晰的章节架构覆盖从产业认知到技术落地、从核心部件到系统集成的全链条内容，融合海量实测数据、工程设计细节、典型应用案例与实操验证方法，兼具专业性与实用性，是新能源汽车行业技术人员、研发从业者及相关学习者深耕电驱领域的优质学习资源，诚邀下载深入研读。 核心章节内容概览 新能源汽车电驱动产业发展情况：明确新能源汽车的定义、分类与发展历程，详解202…... -
基于SiC的电动汽车用纯电驱动单元研究
来源：电机与控制应用 作者：孙新函（泛亚汽车技术中心有限公司） 摘 要:电动汽车对加速性和续航里程的要求不断提升，从而对电驱系统功率密度和效率的要求也在不断提升。针对这一需求，分析了SiC 半导体材料的优势，提出一种基于SiC的纯电驱动系统方案。分别对SiC基和Si 基电驱动单元进行了台架对比测试，测试结果表明SiC基电驱动单元在不增加零件尺寸的前提下，可大幅提高输出功率与效率，进而提升电动汽车的…... -
新能源汽车的隐形“保护神”：高压继电器
“ 要是把新能源汽车比作一个超级智能机器人，那高压继电器就像是这个机器人身体里那些关键的电路开关，掌控着整个“身体”的能源流通，少了它或者它出了问题，这“机器人”可就没法正常撒欢跑啦！ ” 高压继电器是什么 简单来说，高压继电器就是一种能够在高电压、大电流的电路中，实现电路的接通和断开控制的电子开关元件。 传统燃油车里面那些控制灯光、雨刮、车窗升降的继电器，工作电压一般也就 12V 或者 24V，…... -
基于 SiC MOSFET的车载氢燃料电池 DC/DC 变换器设计
文章来源：电子技术与软件工程 作者：刘铭 张文超（中车青岛四方机车车辆股份有限公司 山东省青岛市 266000） 摘 要：本文提出了一种以 SiC MOSFET 做为开关器件的氢燃料电池 DC/DC 变换器设计方案。该 DC/DC 变换器方案，采用模块化设计，以应对多组氢燃料电池的电力转化需求。模块采用三相交错并联升压电路拓扑。SiC 器件的应用和电路拓扑的选择设计使得该方案具有大功率、小体积、低…... -
浅谈SiC功率器件短路测试方法和原理
1.概述 SiC功率器件凭借其耐高压、耐高温、开关速度快等特点，在众多电力电子产品应用中展现出独特的优势。然而在实际应用中，出现短路问题是不可避免的。由于SiC器件面积小、短路电流高、漂移层薄等特点，其短路耐受时间相对传统Si器件要短得多。传统Si器件在数据手册中标称的短路电流一般为5~10μs，而大部分SiC器件都没有标出短路能力，即使标注，耐受时间也较短。 SiC器件的短路耐受能力与其内部结构…... -
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智能驾驶仿真测试（下）
上篇文章大家分享了智能驾驶仿真测试的主要类型、核心元素、场景定义、格式标准等相关知识，点击右边文字回顾文章《详解｜什么是智能驾驶仿真测试（上）》今天，JINTECH骏玖继续和你分享关于智能驾驶仿真测试的更多知识。... -
SiC MOSFET 开关损耗测试方法研究
文章来源：中国电机工程学报 作者：郑丹 1，张少昆 1，李磊 1,2，曹瀚 1,2，范涛 1,3*，宁圃奇 1,3，张瑾 1,3，温旭辉 1,2(1．中国科学院电力电子与电气驱动重点实验室(中国科学院电工研究所)；2．中国科学院大学；3．北京市电动汽车协同创新中心) 摘要：准确测量金属氧化物半导体场效应晶体管(metal oxide-semiconductor，MOSFET)开关损耗，是正确评估碳…...
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