文章来源:中国科技论文在线 作者:李刚,高强,金淼鑫,李晓璐(哈尔滨工业大学电气学院,哈尔滨 150006)摘要:近年来随着宽禁带器件的逐步商业化,其市场占有率迅速攀升。为了充分体现 SiC 器件的优势,本文以高温石油井下参数测量系统为背景,首先分析了 SiC MOSFET 开关过程,并总结了驱动要求。在此基础上设计了基于分立器件的 SiC MOSFET 高速隔离驱动电路,并搭建了双脉冲测试平台,…...
文章来源:电源学报 作者:姚常智(中国电源学会学生会员),张昊东,申宏伟,王建军(北京航天发射技术研究所) 摘要:碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 SiC MOSFET作为一种新型,广泛应用的开关器件,在实际应用中具有更快的开关速度和更低的器件损耗,可以提高变换器的效率,体现更好的性能。 针对 SiC MOSFET 驱动特性,分析寄生参数对其的影响:搭建双脉冲实验平台,分析栅源电压与 SiC M…...
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