随着新能源技术的快速发展,对大功率半导体器件的需求日益增加。特别是在可再生能源领域,需要能够承载巨大电流的功率器件。然而,由于生产成本、技术难度以及市场需求等因素的限制,单一的大功率半导体器件往往难以满足这些应用的需求。因此,大功率IGBT和SiC MOSFET的并联设计成为了一种有效的解决方案。 SiC 功率电子器件的主要优点是开关频率高、导通损耗低、效率更高且热管理系统更简单。与硅基转换器相比…...
文章来源:哈尔滨工业大学-丁四宝摘要:随着第三代电力电子功率器件的商业化,以碳化硅(SiC)为代表的宽禁带半导体以其卓越的性能推动着电力电子技术的进步。受到现有生产工艺的限制,中高压大功率等级下,器件的串并联成为一种经济有效的扩容方式,然而寄生参数对于 SiC 器件串并联结构的均流均压特性的影响是亟待解决的问题。本文以SiC 功率器件作为研究对象,在串并联提升功率等级的应用背景下,研究 SiCMO…...
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