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标准解读丨强制性国家标准 GB 36980.1—2025《电动汽车能量消耗量限值 第1部分：乘用车》
2025年5月30日，《电动汽车能量消耗量限值 第1部分：乘用车》（GB 36980.1—2025）发布 ，由工信部提出并归口，全国汽车标准化技术委员会组织修订。该标准适用于最大设计总质量不超3500 kg的M₁类纯电动汽车，涵盖试验方法、限值要求、生产一致性、同一型式判定等内容 。基于国家文件要求、配套测试标准更新及技术提升修订，综合行业现状等调整限值 。新申请型式批准车型自2026年1月1日起…... -
Sic器件在高速永磁电机转速跟踪控制中的研究
摘 要：针对高速永磁同步电机(HSPMSM)的电感值小、基波频率高等特点，以及Si基IGBT开关速度和电压等级限制而引起的电机运行过程中定子电流谐波含量高、发热严重和响应延迟大的问题，研究SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 在HSPMSM转速跟踪控制中的应用。通过双脉冲测试电路分析了SiC和Si器件的开关特性，结果表明SiCMOSFET具有更快的开关速度和更低的开关损耗。基于S…... -
SiC MOSFET栅极驱动电路的基础和设计指南
文章来源：罗姆（ROHM）半导体 摘要：SiC MOSFET 可作为开关器件用于各种开关电源中，因为其导通状态可通过在栅极和源极之间施加一定电压来控制。除了降低传导损耗外，开关器件还必须降低开关损耗并将 EMC 噪声降至最低，而这可以通过设计在栅极和源极之间施加电压的方法来实现。为了考虑如何充分发挥 SiC MOSFET 的潜力，首先有必要了解在栅极和源极之间施加电压时发生的基本动作（状态转换）。…... -
OBC DC/DC SiC MOSFET 驱动选型及供电设计要点
文章来源：德州仪器（TI） 摘要：新能源汽车动力域高压化、小型化、轻型化是大势所趋。更高的电池电压如 800V 系统要求功率器件具有更高的耐压小型化要求功率拓扑具有更高的开关频率。碳化硅（SiC）作为第三代半导体代表，具有高频率、高效率、小体积等优点，更适合车载充电机 OBC、直流变换器 DC/DC、电机控制器等应用场景高频驱动和高压化的技术发展趋势。本文主要针对 SiC MOSFET 的应用特点…... -
TSMaster小程序启动和停止的自动化控制流程
在实际应用场景中，用户常常需要按一定逻辑和时序来控制TSMaster内置功能模块的启动和停止，TSMaster软件内置有C/Python小程序和图形程序，开发者可以通过编程对这些模块的运行进行精确控制。本文将重点和大家分享一下如何通过C代码来控制TSMaster内置模块的启动与停止，本文大致内容如下： 窗口启动和停止函数 内置小程序控制其它小程序的启动和停止 COM实现对TSMaster工程中小程…... -
动力电池电气系统安全设计（十二）电气系统防火安全分析
我已经在以前的文章，分析过2019年-2024年的新能源汽车召回事件，对电池包电气召回事件进行归类。大家可以看看以前的文章，链接在下面。 解密58 起新能源汽车召回事件：为什么电池包电气系统容易引发火灾？ 一、电池包电气系统召回总结 1、电气连接失效引发过热 根本原因： 焊接工艺缺陷：如铜排焊接强度不足（启辰 D60EV 案例）、BMS 线束焊接点不牢固（猎豹 CS9 案例），导致电流导通时接触电…... -
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干货分享 | TSMaster报文发送的信号生成器操作说明
信号生成器功能是TSMaster分析中的报文发送模块。信号生成器用于发送和配置每个 CAN/LIN 信号的值变化行为，简而言之，这是一个可以控制和调整CAN/LIN信号值的功能。我们可选择的信号生成器类型有8种，今天重点和大家分享一下关于TSMaster信号生成器的8种类型的使用方式。 本文关键字：信号生成器、正弦、斜坡脉冲、值范围、切换、随机、自定义、系统变量 一、信号生成器类型之无 在CAN/…... -
干货分享 | 一文了解TSMaster中Seed&key的两种处理方法
引言 在UDS诊断过程中，会涉及到安全访问的问题，也就是常说的Seed&Key。TSMaster中提供了两种 Seed&Key 的处理方法：第一种是直接加载DLL文件；第二种是直接在TSMaster的编译器中直接添加安全算法。 一、加载外部 Seed&Key DLL TSMaster 诊断模块支持通过 dll 载入 Seed&Key 算法，该算法 dl…... -
UDS之DTC状态位介绍
DTC状态位包含8个bit，每个bit都有各自的含义，但是这8个 bit不一定都要支持，具体的看客户需求，各个主机厂可以根据自己的需求使用其中的几个，当然也可以全部使用。下图是UDS对DTC status这8个bit的解释... -
车规级SiC MOSFET产品介绍及应用
当前Si半导体已逼近物理极限，以SiC为代表的第三代半导体在新能源性能车的首选。SiC材料拥有禁带宽度大，具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势，因此采用第三代半导体材料制备的半导体器件不仅能在更高的温度下稳定运行，适用于高电压、高频率场景，此外还能以较少的电能消耗，获得更高的运行能力。 2018年，特斯拉Model 3主驱逆变器里首次使用碳化硅MOSFET以替代传统硅基IG…... -
铜铝排专题：电池包中为什么用镍
一、镍的特性及标号体系 1、镍的性质 镍是一种具有重要工业价值的金属，其熔点为 1453℃，沸点 3075℃，比重 8.8g/cm³。它具有出色的抗腐蚀性能，在空气中不易氧化，即便加热到 700~800℃也能保持稳定，同时焊接性良好，这些特性使其在电池包内得到广泛应用。 2、国内牌号体系 以 “N” 为前缀（代表镍），数字编号反映纯度等级，常见牌号如下表： 3、加工状态标识 Y：硬态，经深度冷加工…... -
锂枝晶的形成机理与防治
导读： 最近，材料匠交流群里关于锂离子损耗降低锂离子电池容量的话题，引发以下 的热议： 锂离子电池容量降低的主要原因之一是锂元素（化合物和离子）的不可 逆损失，即形成了不可逆的锂化合物或者锂金属。 不可逆的锂化合物是形成 SEI 膜的主要成分之一，而不可逆的锂金属主要是形 成了枝晶锂和死锂。对于我们初学者来说，怎么理解锂 枝晶 更容易一些呢？ 本文主要结合文献和实际工作经验讲述以下几个问题： 1.…... -
小鹏、比亚迪、理想、特斯拉热管理系统介绍
提到热管理，对于大多数人而言，第一反应就是车内空调使用感受。然而对于整车而言，除了车内空调的使用，还包括对高压系统的加热保温或是散热降温，以及前挡风玻璃的除雾加热等等。 它就像汽车的贴心保护者，静静的管理车上各零部件的温度状态，让部件尽可能处在一个舒适的温度环境，保持零部件的最佳性能发挥，间接的影响车辆的动力性和经济性的优秀表现。 下面来看看各主机厂车型的热管理系统。 01 .小鹏P7的热管理…... -
不同雪崩冲击模式下SiC MOSFET的失效机理
文章来源：中国电机工程学报 作者：李辉, 钟懿, 王少刚, 于仁泽, 陈显平, 姚然, 王晓, 龙海洋(输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室，光电技术及系统教育部重点实验室(重庆大学)，重庆市 沙坪坝区 400044) 摘要：在高开关速度di/dt和寄生电感的耦合下,SiC MOSFET器件极易进入雪崩工作模式。针对现有单一实验失效分析难以揭示不同雪崩冲击模式可能引起不同失效模式的问题,提出…... -
标准解读 | 推荐性国家标准 GB/T 44176-2024《汽车全景影像监测系统性能要求及试验方法》
标准下载：GB/T 44176-2024 汽车全景影像监测系统性能要求及试验方法 – CN知EV (cnzev.com) 来源∶汽车标准化委员会... -
车载以太网 DoIP 协议（上）
DoIP ( D iagnostic communication o ver I nternet P rotocol) 为基于IP的诊断通信协议，顾名思义，是基于IP的，专门用来进行诊断数据传输的协议。DoIP的工作机制和相关需求由ISO 13400的一系列标准进行定义。下图是OSI网络模型，我们可以看到DoIP是位于传输层之上的应用层协议，所以除了基于IP，底层也需要支持TCP/IP协议簇中的D…... -
铜铝排专题：铜排铝排浸粉异同
群里面有铝排浸粉的产品需求，可是回应的不多，群里面铜排浸粉和浸塑厂家不少呢，难道铜排浸粉和铝排浸粉不一样吗？就询问了一下，果然两者还真是不一样。 铝排与铜排的浸粉工艺虽同属粉末涂覆技术，但因铜铝金属特性的差异，在工艺细节还是有区别的。 一、金属特性差异及影响 铝表面氧化易形成疏松的 Al₂O₃膜，附着力差，且裸铝耐潮湿、酸碱能力弱，对涂层防护依赖度高；其材质较活泼，预处理时需严格控制药剂浓度和时间…...
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