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1200V/840A碳化硅模块封装技术及驱动设计
文章来源：华侨大学作者：戴家庆摘要:碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，比传统的硅基器件具有更优越的性能。碳化硅SiC MOSFET作为一种新型宽禁带半导体器件，具有导通电阻低，开关损耗小的特点，可降低器件损耗，提升系统效率，更适合应用于高频电路。碳化硅SiC MOSFET这些优良特性，需要通过模块封装以及驱动电路系统，才能得到完美展现。为此，本文针对碳化硅SiC MOSFE的封装技术以及驱动设计进行…... -
动力电池 CCS 安全设计（九）：一芯一管理 CCS+
上期探讨了CCS厂家发起的几个 CCS+CMU 二合一的集成方案，本期探讨储能用户方组织发起的一个方案； 就是中车株洲所联合协能科技、高特电子、中汇瑞德、中航华亿、大唐恩智浦共同推出的 一芯一管理 CCS+ 方案。 一、一芯一管理CCS+ 理念 一芯一管理 CCS+ 以CCS 深度集成 BMU为核心架构，通过 “为每颗电芯配备独立智能管理芯片”，实现五大特性：高安全、高智能、高集成、少维护、低成本…... -
动力电池配电盒BDU安全设计（二四）直流接触器外壳和环氧失效分析
今天对外壳和辅助部件进行失效分析，并重点对市场上常见的环氧发黄问题进行解析。 一、外壳和辅助部件失效分析 外壳与辅助部件虽不直接参与电能通断，但对接触器的稳定性与安全性至关重要。 1、外壳与封装失效 失效模式：外壳破裂、环氧 / 陶瓷封装密封不良、绝缘性能下降。 失效原因：机械冲击（如车辆碰撞）；高温老化导致材料脆化；封装工艺缺陷（如气泡、裂缝）。 对功能的影响： 外壳破裂：内部部件暴露，易受灰尘…... -
动力电池模组系统安全设计（十九）模组设计串讲
国庆八天，为方便大家阅读，抽出时间把各个板块的知识进行串讲一下，今天就先讲述模组。 一、模组概述 电池模组不是把电芯捆绑起来连上线那么简单的，不但要满足容量要求，还要满足安全和可靠性要求。 模组是电芯到电池包的之间过渡，设计上先规划好电池包尺寸和容量，再根据这些计算采用电芯的数量和成组方式。 从模组技术演进来看，其已从传统标准模组向无模组形态发展。CTP、CTB、CTC 是当前动力电池包的主流技术…... -
国内主机整车EEA架构汇总
在车辆的电子电气架构方面，特斯拉是引领者也是全面变革者，早在2012年 Model S有较为明显的功能域划分，包括动力域、底盘域、车身域， ADAS模块，到2017 年特斯拉又在Model3 突破了功能域的框架，实现了中央计算+区域控制器框架。... -
动力电池配电盒BDU安全设计（十四）环境性能测试
为方便阅读，先放个本章的思维导图。 一、存储温度 1、要求： BDU应能在最高存储温度95℃和最低存储温度-40℃范围内存储。 2、存储温度性能测试： 将BDU按要求放置在环境箱内，进行2个循环测试。每个循环24 h，在最高存储温度95℃和最低存储温度-40℃下各保持12h。 3、判定准则： BDU恢复常温后，外观及功能正常，性能符合要求。BDU内部各零件安装点、铜排连接点力矩衰减不超过30%。…... -
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频谱仪应用简述_频率分辨力
在《频谱仪应用简述之带宽》中，我们讲述了频谱分析仪中常见的分辨率 带宽和视频带宽，文中提到 RBW 的带宽和矩形系数是影响测量频率分辨力的两 个主要因素，另外还有近端的相位噪声和本振的剩余调制。相位噪声是一个复 杂的因素，本文仅从频谱分析仪的频率分辨力这个角度来阐述。在具体操作上，仪器的显示点数也在形式上影响着观察到的频率分辨力。如图1所示辨力的四个因素。 图 1 影响频谱分析仪频率分辨力的四个因…... -
动力电池电气系统安全设计（九）铜铝排外观质量和电气性能要求
一、外观质量 1、外观检查 技术要求： 表面质量： 硬排：表面平整光滑，无气泡、毛刺、麻点、夹杂、分层等可见缺陷； 软排：端面切口平整，无毛刺、豁口；贴镍片时表面无焊化、起泡、起皮，焊口边缘圆滑无断片。 绝缘层要求：PVC 套管 / 热缩管无刮伤、开裂、缺胶、油污，厚度均匀性误差≤10%。 检测方法： 光照强度≥500lux（室内自然光），检测距离 30-50cm，视角与被测面呈 45°-90°；…... -
一种车用逆变器SiC MOSFET结温估计的Simulink建模方法
文章来源：汽车电器 作者：彭琛，郑晓琦，闰国辉(华通力盛(北京)智能检测集团有限公司，山东济宁 272000)【摘要】目前，电动汽车高压平台已成为趋势，电机控制器功率器件由IGBT向SiC MOSFET转换，而针对SiC MOSFET结温的相关研究，很多学者曾提供了具体的理论公式，但是复杂的理论计算公式并不能很好地运用在实际开发过程中。文章基于以上现状，选择合适的SiC MOSFET热阻网络模型，…... -
基于Si IGBT和SiC MOSFET的飞跨电容 MMC拓扑及其调制策略
文章来源：高电压技术 作者：井开源，林磊，殷天翔，黄强（华中科技大学电气与电子工程学院强电磁工程与新技术国家重点实验室，武汉430074）摘要：降低模块化多电平变换器(modular multilevel converter, MMC)子模块电容电压波动对提高MMC功率密度，实现MMC轻型化具有重要意义。在降低MMC子模块电容电压波动的方案中，飞跨电容MMC(flying-capacitorMMC…... -
浅谈SiC功率器件短路测试方法和原理
1.概述 SiC功率器件凭借其耐高压、耐高温、开关速度快等特点，在众多电力电子产品应用中展现出独特的优势。然而在实际应用中，出现短路问题是不可避免的。由于SiC器件面积小、短路电流高、漂移层薄等特点，其短路耐受时间相对传统Si器件要短得多。传统Si器件在数据手册中标称的短路电流一般为5~10μs，而大部分SiC器件都没有标出短路能力，即使标注，耐受时间也较短。 SiC器件的短路耐受能力与其内部结构…... -
碳化硅 （SiC）器件 与氮化镓 （GaN）器件应用差异
SiC 和 GaN 被称为“宽带隙半导体”(WBG)。由于使用的生产工艺，WBG 设备显示出以下优点： 1.宽带隙半导体 氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）在带隙和击穿场方面相对相似。氮化镓的带隙为3.2 eV，而碳化硅的带隙为3.4 eV。虽然这些值看起来相似，但它们明显高于硅的带隙。硅的带隙仅为1.1 eV，比氮化镓和碳化硅小三倍。这些化合物的较高带隙允许氮化镓和碳化硅舒适地支持更高…... -
SiC MOSFET功率器件 :开关电路的功率损失计算
文章来源:罗姆半导体（ROHM） 摘要： 确认电源电路的设计没有超过各设备所容许的损失是很重要的。怠慢这个的话器件可能会导致热破坏。该应用笔记中记载了使用 SiC MOSFET 的开关电路中开关动作时 SiC MOSFET 产生的功率损失的计算方法。 损耗測定电路 作为测量功率器件开关参数的标准方法，有双脉冲测试。测量 电路如 Figure 1 所示。双脉冲测试通过感应负载和电源进行。 开关元件的…... -
SiC 功率器件开关电路的功率损失计算
文章来源：罗姆（ROHM）半导体 摘要：SiC MOSFET 可作为开关器件用于各种开关电源中，确认电源电路的设计没有超过各设备所容许的损失是很重要的。怠慢这个的话器件可能会导致热破坏。该应用笔记中记载了使用SiC MOSFET 的开关电路中开关动作时 SiC MOSFET 产生的功率损失的计算方法。 损耗測定电路 作为测量功率器件开关参数的标准方法，有双脉冲测试。测量电路如 Figure 1 所…... -
南京航空航天大学：基于SiC 器件的隔离双向混合型LLC 谐振变换器
文章来源：电工技术学报 作者：朱小全.刘康.叶开文.蒋黎明.金科（南京航空航天大学自动化学院） 摘要：针对传统双有源桥型直流变换器的软开关范围窄、开关频率低等问题，该文提出一种隔离双向混合型 LLC 谐振变换器，适用于可再生能源分布式发电系统的储能结构中。在不增加使用额外器件的条件下，通过不同调制方案转换，该变换器可以在全桥变换器、双半桥变换器和单半桥变换器三种工作模式下混合运行。在变压器励磁电感…... -
电动汽车冷却液防腐性能专题（三）冷却液漏液会引发热失控吗？
前面两篇已经解释了，电动车铝冷板如果使用传统冷却液会造成腐蚀，严重的会漏液，进行继续聊冷却板漏液、冷却液电导率高的危害。 六、冷却板漏液危害 1. 高电导率危害 传统冷却液导电性比较高，电导率 > 2000μS/cm，如果漏液并接触到 300V 以上高压部件时，会形成导电通路引发电弧。 2. 电导安全试验 《GB 29743.2-2025机动车冷却液第2部分电动汽车冷却液》征求意见稿中，为了…... -
汽车ESP传感器介绍及其接口技术详解
ESP 大家都不陌生，现在汽车行业已经广泛使用，ESP（EleCTRonIC Stability Program，电子稳定程序）是汽车电控的一个标志性发明。...
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