文章来源:哈尔滨工业大学-丁四宝摘要:随着第三代电力电子功率器件的商业化,以碳化硅(SiC)为代表的宽禁带半导体以其卓越的性能推动着电力电子技术的进步。受到现有生产工艺的限制,中高压大功率等级下,器件的串并联成为一种经济有效的扩容方式,然而寄生参数对于 SiC 器件串并联结构的均流均压特性的影响是亟待解决的问题。本文以SiC 功率器件作为研究对象,在串并联提升功率等级的应用背景下,研究 SiCMO…...
文章来源:中国科技论文在线 作者:李刚,高强,金淼鑫,李晓璐(哈尔滨工业大学电气学院,哈尔滨 150006)摘要:近年来随着宽禁带器件的逐步商业化,其市场占有率迅速攀升。为了充分体现 SiC 器件的优势,本文以高温石油井下参数测量系统为背景,首先分析了 SiC MOSFET 开关过程,并总结了驱动要求。在此基础上设计了基于分立器件的 SiC MOSFET 高速隔离驱动电路,并搭建了双脉冲测试平台,…...
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