文章来源:湖南大学电气与信息工程学院 作者:苏杭(硕士学位论文) 摘 要:电动汽车的发展对电机控制器的小型化、轻量化和高能效提出了更高的要求。以 SiC MOSFET 为代表的宽禁带器件超越了传统硅基功率器件在电压等级、开关频率与工作温度上的极限,可降低电机控制器的体积、重量和成本,提高系统效率,在电动汽车应用中具有明显优势。驱动电路影响着电机控制器的性能与可靠性,驱动技术研究对 SiC MOSF…...
碳化硅具备耐高压、耐高温、高频率、抗辐射等优良电气特性,突破了硅基半导体材料的物理极限,是第三代半导体的核心材料之一。碳化硅(SiC)MOSFET或碳化硅(SiC)Module等功率电子器件是用于众多市场领域的主要技术构件。 SiC MOSFET或SiC Module与硅器件相比具有若干优势。SiC更高的击穿电压意味着可以使用更轻薄的器件来支持更高的电压,SiC相较于硅的其它优势还包括:@作为一种…...
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