SiC 和 GaN 被称为“宽带隙半导体”(WBG)。由于使用的生产工艺,WBG 设备显示出以下优点: 1.宽带隙半导体 氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)在带隙和击穿场方面相对相似。氮化镓的带隙为3.2 eV,而碳化硅的带隙为3.4 eV。虽然这些值看起来相似,但它们明显高于硅的带隙。硅的带隙仅为1.1 eV,比氮化镓和碳化硅小三倍。这些化合物的较高带隙允许氮化镓和碳化硅舒适地支持更高…...
IGBT 和 SiC 电源开关基础知识 IGBT 和 SiC 电源开关有哪些市场和应用? 高效的电源转换在很大程度上取决于系统中使用的功率半导体器件。由于功率器件技术不断改进,大功率应用的效率越来越高并且尺寸越来越小。此类器件包括 IGBT 和 SiC MOSFET,它们具有高电压额定值、高电流额定值以及低导通和开关损耗,因此非常适合大功率应用。具体而言,总线电压大于 400V 的应用要求器件电…...
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