-
部署更快，自动化程度高！TOSUN同星线控底盘解决方案
在汽车智能化和电动化进程中，智能线控底盘相关的核心技术和产品成为了新能源汽车及智能驾驶产业的重点发展方向。同星智能作为行业先行者，精研汽车电子行业整体解决方案，提供基于TSMaster的底盘HIL仿真测试解决方案、EMB自动化测试解决方案。 一、底盘HIL仿真测试解决方案 基于TSMaster的HIL仿真测试系统，TSMaster作为唯一的测试软件，包含丰富的API函数，完整的外设集…... -
电池包热管理安全-热管理系统的规范设计
电池热管理系统作为确保动力电池稳定运行、延长使用寿命、提升安全性的关键所在，其设计规范性的重要性不言而喻。 接下来，我们将从 PACK 项目开发流程的环节入手，深入探讨如何规范电池热管理的安全设计。 1、遵循项目开发设计流程 规范的设计流程是保障设计质量的关键，电池热管理设计严格遵循 PACK 项目开发流程，仅能够达成整车和电池系统的设计目标，更能有效识别并规避项目推进过程中的潜在风险。 在概念开…... -
动力电池配电盒BDU安全设计（十八）直流接触器失效模式分析
公众号在今后会时不时针对电池包应用中的问题进行重点分析，本周主要对直流接触器进行失效分析。 一、直流接触器电池包内应用 在电池包内是核心控制部件，主接触器负责电池包与整车高压主回路的通断，车辆启动时接通高压，熄火后切断负载。 预充接触器配合预充电阻，在主接触器闭合前为容性负载缓慢充电，降低电流冲击，减少主触点烧蚀。 快充接触器管控快充回路，确保高压快充桩与电池包连接的安全通断。 上述接触器在故障发…... -
湖南大学：Si IGBT和SiC MOSFET 混合器件及其应用研究
文章来源：电源学报 作者：李宗鉴，王俊，江希，何志志，彭子舜，余佳俊（湖南大学电气与信息工程学院） 摘要：综述了 Si IGBT和SiC MOSFET 混合器件在门极优化控制策略、集成驱动设计、热电耦合损耗模型、芯片尺寸配比优化和混合功率模块研制等方面的最新研究成果与进展。 Si IGBT和SiC MOSFET 混合器件结合了SiC MOSFET 的高开关频率、低开关损耗特性和 Si IGBT 的…... -
大端 vs 小端 —— 基础原理
最近有人问王师傅一个问题：车内通信如果涉及到 CAN 报文和以太网报文转换的场景，大端、小端，或者 Intel、Motorola 格式会对数据转换造成什么影响吗？相信大家都曾学习或者了解过什么是大端、小端，可总是过眼云烟，扭头就忘。今天，希望能通过几个简单的例子帮助大家对这块的内容有个更好的理解。内部比较多，会分三篇文章，分别从基础原理、网络字节序和 Intel & Motorola 格式…... -
MALTAB函数库的使用方法
概述： 在科学计算领域中，MATLAB被广泛应用于数据分析、数值模拟等任务。作为一种强大的数学计算软件，MATLAB提供了丰富的数学函数库，使得用户能够更便捷地进行数学运算。本文将介绍一些常用的MATLAB数学函数库以及它们的使用方法，并结合具体案例进行解析。 1. 数学变换函数： MA…... -
1个资源1个资源
TSMaster 2024 最新版本实用功能更新，收藏不迷路！
TSMaster 作为一款软硬件解耦，快速迭代，并不断被软件定义的国产工业软件，保持每周一次的更新频率，已经渗透到全球汽车产业企业。在2024年初，进行了大规模的功能更新！不仅对软件进行了全面优化，同时对工具箱模块、仿真模块、总线分析模块等进行了更新。... -
SiC MOSFET模块串扰问题及应用对策研究
文章来源：机车电传动作者：刘敏安1,2，罗海辉1,2，卢圣文1,2，王 旭1,2，李 诚1,2（1.株洲中车时代半导体有限公司；2.功率半导体与集成技术全国重点实验室）摘 要：针对SiC MOSFET模块应用过程中出现的串扰问题，文章首先对3种测量差分探头的参数和测量波形进行对比，有效减小测量误差；然后详细分析串扰引起模块栅源极出现电压正向抬升和负向峰值过大的原因，并提出3种有效应用对策：减小栅极…... -
风冷 SiC 逆变器的设计方法与封装集成
文章来源：中国电机工程学报 曾正 1，王金 1，陈昊 2，欧开鸿 1，余跃 1，张欣 3 (1．重庆大学；2．阿肯色大学电气工程系；3．南洋理工大学电气与电子工程学院) 摘要：SiC风冷逆变器省却了复杂的液冷系统，使电动汽车的动力系统更加紧凑。然而，风冷SiC 逆变器缺乏系统的设计方法和关键的封装集成路径。提出一种风冷SiC 逆变器的分层协同设计方法，包括功率模块、母线电容和散热器3个层次。在功率…... -
1个资源1个资源
应用笔记 | 在TSMaster中加载基于DotNet平台的Seed&Key
在UDS诊断过程中，会涉及到安全访问的问题，也就是所谓的Seed&Key。TSMaster 诊断模块支持通过.dll文件载入 Seed&Key 算法用于安全访问解锁。在最近发布的TSMaster 2024.03版本中不仅支持了C/C++，Delphi等语言封装的DLL文件，也新增支持了基于DotNet平台如C#，VB.Net等语言编写的DLL，高效兼容不同平台生成的安全访问dll，…... -
T 型三电平与两电平功率开关器件损耗计算与分析
文章来源：微特电机 作者：祝琳,宋宣锋,李永岗,耿乙文(中国矿业大学 电气与动力工程学院,徐州 221008) 摘 要:研究两种逆变器拓扑的功率开关器件损耗,通过器件特征参数,建立一种同时考虑工作电压、驱动电阻和结温的简单曲线拟合方法,推导出三次谐波注入调制算法下T型三电平和两电平拓扑的损耗计算模型,发现损耗与调制系数、开关频率、功率因数角、输出电流有关。 在相同逆变工作条件下,当开关频率大于 6…... -
碳化硅（SiC）MOSFET性能的优势与技术的难点，在新能源汽车和大功率电源应用的优势
一、 碳化硅mos对比硅mos的11大优势 1. SiC器件的结构和特征 Si材料中，越是高耐压器件其单位面积的导通电阻就越大（通常以耐压值的大概2-2.5次方的比例增加），因此600V以上的电压中主要采用IGBT（绝缘栅极双极型晶体管）。IGBT通过电导率调制，向漂移层内注入作为少数载流子的空穴，因此导通电阻比MOSFET还要小，但是同时由于少数载流子的积聚，在关断时会产生尾电流，从而造成极大的…... -
1个资源1个资源
TSMaster—CCP/XCP标定功能详解
众所周知，CCP是CAN Calibration Protocol CAN 标定协议的缩写，XCP是Universal Measurement and Calibration Protocol 通用测量与标定协议的缩写。二者都普遍使用于开发、测试和车载标定，由ASAM（自动化和测量系统标准化协会）制定。 同星提供CCP/XCP标定方案，TSMaster支持CCP/XCP的在线标定、离线标定、自动化…... -
1700V碳化硅(SiC MOSFET）器件的应用案例
硅基器件的解决方案在效率和可靠性方面通常无法兼得，也不能满足如今在尺寸、重量和成本方面极具挑战性的要求。随着高压碳化硅（SiC）MOSFET的推出，设计人员现在有机会在提高性能的同时，应对所有其他挑战。 650V-1200V的SiC功率器件的市场应用率越来越高，随着额定电压为1700V-3300V的功率器件的推出，SiC技术的众多优势已惠及新兴终端设备细分市场，包括电动商用和重型车辆、轻…... -
动力电池配电盒BDU安全设计（三五）固态继电器会取代直流继电器吗？
新能源汽车现在基本上使用机械式直流继电器，主要有主继电器、预充继电器、直流充电继电器、交流充电继电器和高压附件继电器。 前面的文章介绍过，BDU中的继电器会有不少使用中的问题：比如熔焊、粘连等，而且在占用空间也比较大，下图可以看出继电器大概占了50%的BDU空间，那有没有取代继电器的集成方案呢？还真有，那就是固态继电器。 一、固态继电器 固态继电器（SSR）是采用没有机械触点的电子开关，比如：Si…...
扫码打开当前页
扫码关注
-
￥优惠劵使用时效：无法使用使用时效：
之前
使用时效：永久有效优惠劵ID：×
最新评论