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SiC MOSFET功率器件 :开关电路的功率损失计算
文章来源:罗姆半导体（ROHM） 摘要： 确认电源电路的设计没有超过各设备所容许的损失是很重要的。怠慢这个的话器件可能会导致热破坏。该应用笔记中记载了使用 SiC MOSFET 的开关电路中开关动作时 SiC MOSFET 产生的功率损失的计算方法。 损耗測定电路 作为测量功率器件开关参数的标准方法，有双脉冲测试。测量 电路如 Figure 1 所示。双脉冲测试通过感应负载和电源进行。 开关元件的…... -
铜铝排专题：超声波扭矩焊
铝排与导电铜环的焊接是铝排应用的关键工艺，其核心需求是高强度接头、低电阻导电、高量产一致性。 超声波扭矩焊凭借对 “异种金属 + 环形结构” 的精准适配，成为该场景的优选技术方案。 艾默生必能信的超声波扭矩焊视频： 一、铝排导电铜环的焊接难点 铝排（导体载体）与导电铜环（电流传导 / 换向部件）的焊接存在两大核心挑战，而超声波扭矩焊恰好针对性解决： 1、异种金属焊接难题： 铝与铜的物理性质差异极…... -
碳化硅控制器用冷却结构设计与测试
文章来源:微特电机 作者;陈登峰，秦基伟，陈雷（１．上海汽车电驱动有限公司，２．上海电驱动股份有限公司） 摘 要：碳化硅控制器在高频工况下工作时会产生大量的热量并导致其温度短时极剧升高，为保证控制器的正常工作，需要设计专门的冷却结构对其散热。针对一款碳化硅控制器的冷却需求，设计并详细介绍了与之相匹配的冷却结构。在冷却结构的散热条件下，对控制器的碳化硅模块及薄膜电容工作时的温度分布规律进行了热仿真分…... -
新能源汽车BMS芯片浅析
在电动汽车当中，电池是电动汽车的动力来源，其容量及能量密度影响着汽车的续航，其品质影响着汽车的安全性能。而电池的性能和寿命则是衡量电动汽车性能的重要指标。如何掌握这些指标并保证每颗电池的运行状态达到最优？如何避免应用中的电池过度充、放电，改善电池组中各单体电池的不对称性，提高电池组的效率，延长其使用寿命都是电动汽车的关键技术问题 。 1️⃣ 电池管理系统 电池管理系统(Battery Manage…... -
一分钟带你了解TSMaster小程序编辑代码智能提示功能
本文给大家带来TSMaster小程序编辑的新功能，其中主要包含： 代码编辑智能提示功能 可用外部代码编辑器编辑小程序代码并同步 本文关键词：C小程序、Python小程序、代码智能提示、外部代码编辑器、Visual Studio 1.TSMaster的代码编辑器 TSMaster软件中内置了C小程序和python小程序，可以在小程序中编辑C或者python代码，方便开发人员对同星硬件和TSMaste…... -
软件更新 | 从数据到模型，全面升级！TSMaster新版助力汽车研发新突破
欢迎阅读2025年5月版TSMaster软件软件汇总文档！在本月更新中，我们为用户带来了实车采集模式、MBD模型框图功能和新API释放，旨在进一步提升软件的性能、灵活性与用户体验。接下来，我们将为您详细介绍本次更新的亮点内容，帮助您快速了解和掌握新功能，充分利用TSMaster提升工作效率。 设计 【模型框图】 →【设计】-【模型框图】 更新功能：TSMaster模型框图模块是TOSUN…... -
1700V碳化硅Mos芯片封装在光电耦合器（固态继电器-PhotoMOS）中
一.光电耦合器知识点1-1.固态继电器光电耦合器又称光电隔离器或光电耦合器，基本原理是以光作为媒介来传输电信号，把发光二极管和光敏(三极)管封装在一起，输入的电信号驱动发光二极管，使之宣布必定波长的光，被光探测器接纳而产生光电流，再经过进一步扩大后输出，完成“电→光→电”的转化，从而起到输入、输出、阻隔的效果。产品分九大类，消费级、工控级、车规级、航天级四个等级 400多个光耦品种，在通讯、电力、…... -
TSMaster 测试报告生成器操作指南
用户在基于 TSMaster 软件开发测试用例时，或需要使用 TSMaster 生成 HTML 报告时，需要使用 TSMaster 测试报告生成器。 一、Test_Report 说明 Test_Report 是目前 TSMaster 为客户提供的一套测试报告模板，里面集成了测试报告的打印输出、图片展示、测试状态显示、测试通过率/失败率显示、以及执行时间显示为一体，测试报告示例如下图： …... -
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资料下载|2024年汽车国家标准汇总
作为国民经济重要的支柱产业，汽车行业正处于转型升级的关键阶段，汽车国家标准承担着引领行业发展的责任,在规范汽车市场、保障产品质量、促进技术进步等方面发挥着重要作用。全国汽车标准化技术委员会秘书处现整理发布2024年汽车国家标准体系图。截至2024年1月，国家标准化管理委员会已批准发布的汽车（含摩托车）强制性国家标准共128项，其中，适用于乘用车的强制性国家标准共70项，适用于商用车的强制性国家标准…... -
UDS统一诊断服务【十二】读取DTC信息0X19服务
19服务（ReadDTCInformation）：用于读取ECU的故障信息，该服务允许客户端从任何服务器或车辆内的一组服务器读取服务器驻留的诊断故障代码（DTC）信息的状态。除非特定子功能另有要求，否则服务器应返回所有DTC信息。... -
铜铝排专题：铜排螺栓连接可靠性失效分析
铜排螺栓连接作为仍广泛应用的电气连接方式，接触电阻极其重要，决定了使用寿命和系统可靠性。 今天将围绕连接电阻如何影响使用寿命展开，从接触效率与寿命的关系、接头失效判断、老化机理、失效过程等方面，系统讲解铜排螺栓连接失效。 一、连接电阻效率与寿命的关系 前文介绍过连接电阻效率，又称为接头性能系数是衡量接头质量、决定使用寿命的关键参数。 1、性能系数（连接效率） k 性能系数（k）指接头电阻（Rj）与…... -
铜铝排专题：软铜排技术要求和测试标准
在软铜排开发不同阶段，需要提出技术要求和测试标准，今天总结了下，供大家根据不同项目进行参考。 一、外观 表面质量： 整体：表面应光洁，无明显油污、腐蚀、斑点，凹凸、折痕、残缺、锈蚀、污渍、飞边、指纹、打磨痕迹等残缺，无明显伤痕。； 热压后如果产品钝化处理，不允许损坏纯镍片，热压区不得有凸起、凹坑及明显划痕。 热缩套管为橙色，且无破损，铜排贴合良好。 测试方法： 采用目测法，可通过 10 倍放大镜辅…... -
华中科技大学：碳化硅器件的短路保护：设计准则和电路
文章来源：中国电机工程学报作者：党子越，彭晗*，彭皓，康勇(强电磁工程与新技术国家重点实验室(华中科技大学电气与电子工程学院)摘要：为了保障碳化硅(silicon carbide，SiC)在发生短路故障时可安全可靠的关断，需在掌握其短路特性基本规律的前提下，针对 SiC 短路耐受时间较短、短路下器件漏源极电压拐点不明显等特征，展开去饱和保护电路(desaturation faultprotecti…... -
软件更新 | 以太网通信仿真功能已上线！TSMaster 202503 版本更新速览
在本月更新中，我们为用户带来了以太网通讯仿真、软件网关、GPS记录数据格式转换三个新功能，旨在进一步提升软件的性能、灵活性与用户体验。接下来，我们将为您详细介绍本次更新的亮点内容，帮助您快速了解和掌握新功能，充分利用TSMaster提升工作效率。 仿真 【以太网通信仿真】 →【仿真】-【以太网通信仿真】 更新功能：以太网通信仿真模块模拟真实ECU发送和接收通信报文的过程，验证软件在处理不…... -
轻松了解功率MOSFET的雪崩效应
原创：安森美 在关断状态下，功率MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。MOSFET体二极管的击穿或雪崩表明反向偏置体二极管两端的电场使得漏极和源极端子之间有大量电流流动。典型的阻断状态漏电流在几十皮安到几百纳安的数量级。 根据电路条件不同，在雪崩、MOSFET漏极或源极中，电流范围可从微安到数百安。 额定击穿电压，也可称之为“BV”，通常是在给定温度范围（通常是整个工作…... -
新能源汽车中霍尔传感器的应用
原创 最光阴 一、基本原理 霍尔传感器的核心通常为硅或砷化镓等半导体材料制作而成的薄片，其中含有大量的载流子，当外部磁场作用于这个半导体薄片时，载流子会受到洛伦兹力的作用而发生偏移，导致在半导体的两侧形成电荷积累，从而产生一个横向的电位差，即霍尔电压。 这个霍尔电压的大小与磁场强度成正比，因此可以通过测量霍尔电压来得知磁场的强弱。又由于霍尔电压的方向取决于磁场的方向，这使得霍尔传感器不仅能检测磁场…... -
动力电池配电盒BDU安全设计（二五）霍尔+分流器=双电流传感器
在电池包的 BDU（Battery Disconnect Unit，电池断开单元）中，同时使用霍尔电流传感器和电阻分流器（Shunt Resistor，分流电阻），核心目的是通过两种传感器的特性互补，覆盖复杂的电流场景、提高测量可靠性，并满足安全性要求。 能不能把这两个传感器集成起来呢做到一个部件里面去？还真找到了这种集成的冗余性双电流传感器。两个传感器集成在分流器里面，分别基于电阻分流和霍尔效应…... -
动力电池模组系统安全设计（十五）压条和固定带
自从CTP、CTB电池包流行起来后，标准模组不见身影后，钢带也是很少见到了，但是在神行和麒麟电池包又看到了压条和钢带使用，是不是钢带又回归使用了呢？ 一、为什么要用压条和钢带 现在的电芯是越做越大，横纵梁也越来越少，电池包在使用中面临的振动、冲击等工况不变，只靠结构胶固定的电芯下面，没有上面约束的电芯，就可能会出现电芯晃动和偏移问题。 加压条就是一个低成本的选择，通过直接抵压或粘接电芯的顶盖、肩部…... -
SiC MOSFET开通电流尖峰的分析及抑制
文章来源：电力电子技术 作者：孙 丽 敬 1、 张 雷２， 宋 振 浩1 、 郑 遵 宇２（１ ． 中 国 电 力 科 学 研 宄 院 有 限 公 司 ;２ ． 中 国 矿业大 学 ， 电 气 与 动 力 工 程 学 院 ） 摘 要 ： 在 桥 式 结 构 的 电 压 源 型 变 换 器 中 ，IGBT 器 件 需 要 反 并 联 二 极 管 以 保 证 续 流 。 而 碳 化 硅 （ SiC …...
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