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东南大学：一种 SiC MOSFET 串扰抑制的谐振辅助驱动电路
文章来源：电工技术学报 作者：黄勇胜张建忠王宁（东南大学电气工程学院） 摘要：随着 SiC MOSFET 开关频率的不断增加，逆变器桥臂串扰现象越发严重并易造成桥臂直通短路，这限制了 SiC MOSFET 开关频率的进一步提高。该文提出一种 SiC MOSFET 串扰抑制的谐振辅助驱动电路，通过在栅源之间添加电容电感辅助谐振电路，能够在 SiC MOSFET 关断期间完成负压到零压的变化，同时不需…... -
TSMaster 2024.04 最新版已上线！
TSMaster是集汽车总线嵌入式代码生成、监控、仿真、开发、UDS诊断、CCP/XCP标定、ECU刷写、I/O控制、测试测量等功能于一体的国产软件工具。在最新更新的软件版本里，增加了很多新功能，其中期待已久的DoIP诊断功能终于在最新升级版本里可以实现！同时对仿真模块、API接口、工具箱模块等进行了更新。一起来看看吧！ 软件更新方式 1. 直接在已有的软件中点击“帮助”-“检查升级”，将软件更…... -
CAN总线不加终端电阻，会怎么样？
在进行CAN总线通信前，应保 证正确的总线配置，比如终端电阻。 它是影响总线通信的重要组件，下面我们不考虑信号的完整性，只从信号幅度和时间常数方面分析不加终端电阻时的影响。... -
碳化硅器件的短路保护：设计准则和电路
文章来源：中国电机工程学报 作者：党子越，彭晗*，彭皓，康勇(强电磁工程与新技术国家重点实验室(华中科技大学电气与电子工程学院)，湖北省武汉市 430074) 摘要：为了保障碳化硅(silicon carbide，SiC)在发生短路故障时可安全可靠的关断，需在掌握其短路特性基本规律的前提下，针对SiC 短路耐受时间较短、短路下器件漏源极电压拐点不明显等特征，展开去饱和保护电路(desaturat…... -
SiC MOSFET开通电流尖峰的分析及抑制
文章来源：电力电子技术 作者：孙 丽 敬 1、 张 雷２， 宋 振 浩1 、 郑 遵 宇２（１ ． 中 国 电 力 科 学 研 宄 院 有 限 公 司 ;２ ． 中 国 矿业大 学 ， 电 气 与 动 力 工 程 学 院 ） 摘 要 ： 在 桥 式 结 构 的 电 压 源 型 变 换 器 中 ，IGBT 器 件 需 要 反 并 联 二 极 管 以 保 证 续 流 。 而 碳 化 硅 （ SiC …... -
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TSMaster DBC编辑器操作指南：功能详解+实战示例
在汽车电子和CAN总线开发领域，DBC文件（Database Container）是定义CAN通信协议的核心文件，正确编辑和优化DBC文件，对于车辆网络通信的稳定性、数据解析的准确性至关重要。... -
动力电池模组系统安全设计（一）模组概述
电池包的电气、BDU、CCS已经讲述差不多了，大家如果还有什么疑问，可以在留言区留言或者进群讨论，公众号还会不定时发布文章。 那么从今天开启电池包内的另外一个话题模组系统的安全设计。 一、模组发展 在电池集成技术的发展历程中，先后历经了三次意义重大的变革，从最初的模组模式，演进至 CTP（Cell To Pack）技术，再到如今的 CTC（Cell To Chassis）技术。 在 CTP 和 C…... -
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TSMaster 2024 最新版本实用功能更新，收藏不迷路！
TSMaster 作为一款软硬件解耦，快速迭代，并不断被软件定义的国产工业软件，保持每周一次的更新频率，已经渗透到全球汽车产业企业。在2024年初，进行了大规模的功能更新！不仅对软件进行了全面优化，同时对工具箱模块、仿真模块、总线分析模块等进行了更新。... -
DeepSeek回答如何成为一名优秀的电动汽车电驱工程师
我们想成为一名优秀的电动汽车电驱工程师，看看人工智能是怎么要求的? 要成为一名优秀的电动汽车电驱工程师，需要掌握多学科知识、技术技能以及对行业趋势的敏锐洞察。以下是结合技术要求和人工智能相关领域的发展方向给出的建议： 1. 核心专业知识 电机原理与设计 精通永磁同步电机（PMSM）、感应电机（IM）等主流电机的结构、控制原理及性能优化。 熟悉电机电磁场分析、热管理、NVH（噪声振动）优化。 了解新…... -
哈尔滨工业大学：SiC MOSFET 隔离式高速驱动电路设计
文章来源：中国科技论文在线 作者：李刚，高强，金淼鑫，李晓璐（哈尔滨工业大学电气学院，哈尔滨 150006）摘要：近年来随着宽禁带器件的逐步商业化，其市场占有率迅速攀升。为了充分体现 SiC 器件的优势，本文以高温石油井下参数测量系统为背景，首先分析了 SiC MOSFET 开关过程，并总结了驱动要求。在此基础上设计了基于分立器件的 SiC MOSFET 高速隔离驱动电路，并搭建了双脉冲测试平台，…... -
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从仿真到测试，全面进化！TSMaster 2026.02版六大新功能深度解读
2026年02月版功能升级，本次更新聚焦于汽车电子研发的实际痛点，从模型框图MBD能力升级、LIN RBS仿真精细化管控、回调函数性能监测落地、经典测试系统测试用例全生命周期管理升级、设备时间同步功能上新到新API释放等，旨在进一步提升软件的性能、灵活性与用户体验。接下来，我们将为您详细介绍本次更新的亮点内容，帮助您快速了解和掌握新功能，充分利用TSMaster提升工作效率。 设计 【模型框图MB…... -
铜铝排专题：铝排镀镍
电池包中模组的正负级输出排若采用铝排，在铜铝电连接转换中，一般要求铝排镀镍，本专题主要讲解铝排镀镍。 铝排镀镍是提升其在动力电池系统中可靠性、导电性和耐久性的关键工艺，以下从原因、工艺、技术要求及测试方法三方面详细说明： 一、镀镍原因 电池包铝排（作为导电连接件）镀镍的核心目的是解决铝本身的性能缺陷，适配电池包严苛的工作环境（如高湿度、振动、高低温循环等），具体原因包括： 防腐蚀： 铝表面易形成氧…... -
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实测对比：TH7011与友商工具采样点测试，谁更靠谱？
在CAN、CAN FD总线通信中，采样点的设置直接决定了节点能否在复杂的电磁环境下正确识别总线电平。一个毫厘之间的偏差，就可能引发CRC错误、错误帧甚至总线瘫痪。然而，传统的采样点测试工具，真的测准了吗？ 今天，我们通过TH7011干扰仪与某友商工具的实测对比，揭开采样点测试中那些被忽视的“精度陷阱”，并看看TH7011是如何凭借FPGA级5ns步进与自定义多次干扰循环，将…... -
告别摸索！TSMaster官方学习路径整理
在汽车电子和总线通信领域，TSMaster已成为工程师们不可或缺的利器。作为一款功能强大的总线分析、仿真、测试和诊断工具，TSMaster广泛应用于CAN、LIN、FlexRay等总线系统的开发与测试。但对于初学者来说，面对TSMaster丰富的功能模块，往往不知从何入手。本文将为您梳理一条清晰的TSMaster学习路线，帮助您系统掌握这一工具。 一、认识TSMaster TSMas…... -
车规级SiC MOSFET产品介绍及应用
当前Si半导体已逼近物理极限，以SiC为代表的第三代半导体在新能源性能车的首选。SiC材料拥有禁带宽度大，具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势，因此采用第三代半导体材料制备的半导体器件不仅能在更高的温度下稳定运行，适用于高电压、高频率场景，此外还能以较少的电能消耗，获得更高的运行能力。 2018年，特斯拉Model 3主驱逆变器里首次使用碳化硅MOSFET以替代传统硅基IG…... -
SOME/IP 详解 （1）—— 概述
随着车载以太网技术的快速发展，SOME/IP得到了更多在车内网络应用的机会， 同时 作为 SOA架构的重要支撑， 也越来越受到人们的关注。 但还是有很多人并不是真正的了解SOME/IP，接下来的几篇文章，王师傅打算详细的介绍下SOME/IP的背景、定义、工作机制和应用场景，以及如何通过工具去进行SOME/IP的仿真和验证。...
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