文章来源:湖南大学电气与信息工程学院 作者:苏杭(硕士学位论文) 摘 要:电动汽车的发展对电机控制器的小型化、轻量化和高能效提出了更高的要求。以 SiC MOSFET 为代表的宽禁带器件超越了传统硅基功率器件在电压等级、开关频率与工作温度上的极限,可降低电机控制器的体积、重量和成本,提高系统效率,在电动汽车应用中具有明显优势。驱动电路影响着电机控制器的性能与可靠性,驱动技术研究对 SiC MOSF…...
文章来源:电源学报 作者:姚常智(中国电源学会学生会员),张昊东,申宏伟,王建军(北京航天发射技术研究所) 摘要:碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 SiC MOSFET作为一种新型,广泛应用的开关器件,在实际应用中具有更快的开关速度和更低的器件损耗,可以提高变换器的效率,体现更好的性能。 针对 SiC MOSFET 驱动特性,分析寄生参数对其的影响:搭建双脉冲实验平台,分析栅源电压与 SiC M…...
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