文章来源:泉州师范学院(潘玉灼,吴恬盈,汤子琴,郑清清,钟诚尧)摘 要:设计一款基于 SiC MOSFET 图腾柱无桥功率因数校正(PFC)电路,使其工作在连续传导模式(CCM)中,电路的电压外环和电流内环实现双闭环控制;电流内环通过 PI控制稳定输出电流,使电感电流与电网电压同相,从而提高电路的功率因数.通过对该拓扑进行仿真并计算出电路参数,分析了 SiC MOSFET 关断等效电路原理;通过负…...
文章来源:哈尔滨工业大学-丁四宝摘要:随着第三代电力电子功率器件的商业化,以碳化硅(SiC)为代表的宽禁带半导体以其卓越的性能推动着电力电子技术的进步。受到现有生产工艺的限制,中高压大功率等级下,器件的串并联成为一种经济有效的扩容方式,然而寄生参数对于 SiC 器件串并联结构的均流均压特性的影响是亟待解决的问题。本文以SiC 功率器件作为研究对象,在串并联提升功率等级的应用背景下,研究 SiCMO…...
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