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动力电池电气系统安全设计（十二）电气系统防火安全分析
我已经在以前的文章，分析过2019年-2024年的新能源汽车召回事件，对电池包电气召回事件进行归类。大家可以看看以前的文章，链接在下面。 解密58 起新能源汽车召回事件：为什么电池包电气系统容易引发火灾？ 一、电池包电气系统召回总结 1、电气连接失效引发过热 根本原因： 焊接工艺缺陷：如铜排焊接强度不足（启辰 D60EV 案例）、BMS 线束焊接点不牢固（猎豹 CS9 案例），导致电流导通时接触电…... -
动力电池电气系统安全设计（二十二）防凝露设计之提前预防
上篇文章今日寒露，聊聊电池包的凝露介绍了自然界和电池包露水产生的机理，我们就先回顾下电池包凝露产生的机理： 一、电池包凝露产生机理 1、根源在于水汽不断进入： 电池包的充放电引发呼吸效应，外部水汽可通过防爆阀透气膜，随着空气自由进入包内，而凝结成的液态水却排不出去； 2、产生条件： 当包内高温的湿润空气，接触到低于露点温度的部件时，水汽就会液化形成凝露。 二、电池包内凝露部位 1、电池包壳体： 壳…... -
技术角度剖析比亚迪 DM-i 的刀片电池设计
图 1 DM-i 厚刀片磷酸铁锂电池系统的设计 DM-i 刀片电池的热管理 在图 1 中，我们看到了和之前不一样的东西——内嵌了加热膜。也就是说，在展 示的结构里面，还多了加热膜，并且使用导热凝胶尽可能在加热膜上面降低热阻。 图 2 比亚迪展示的 DM-i 电池结构 在之前比亚迪宣传的材料中，主要采取两种模式： 1）电池散热： 采用冷媒直冷技术，直接将冷媒通入电池包进行冷却，相比液冷 减少了一级能…... -
碳化硅器件的选型设计与应用优势案例
一.碳化硅器件的性能优势碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一。相比传统的硅材料（Si），碳化硅的禁带宽度是硅的3倍；导热率为硅的4-5倍；击穿电压为硅的8-10倍；电子饱和漂移速率为硅的2-3倍，满足了现代工业对高功率、高电压、高频率的需求，主要被用于制作高速、高频、大功率及发光电子元器件，下游应用领域包括智能电网、新能源汽…... -
铜铝排专题：铝排镀镍
电池包中模组的正负级输出排若采用铝排，在铜铝电连接转换中，一般要求铝排镀镍，本专题主要讲解铝排镀镍。 铝排镀镍是提升其在动力电池系统中可靠性、导电性和耐久性的关键工艺，以下从原因、工艺、技术要求及测试方法三方面详细说明： 一、镀镍原因 电池包铝排（作为导电连接件）镀镍的核心目的是解决铝本身的性能缺陷，适配电池包严苛的工作环境（如高湿度、振动、高低温循环等），具体原因包括： 防腐蚀： 铝表面易形成氧…... -
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资料下载|基于英飞凌TC387电机控制器硬件设计介绍
本文档详细介绍了基于英飞凌TC387芯片、35584电源芯片和NXP GD3160驱动芯片的电机控制器硬件设计，特别强调了功能安全的设计。以下是文档的主要内容概览： 文档展示1 一、系统架构的设计与实现 1.1 整体介绍 系统组成：概述了电机控制器的整体系统组成，包括车辆电池、点火系统、CAN总线、变速箱、微处理器、电机控制器模块、电动机单元和SBC（系统基础芯片）。 通信接口：描述了系统中的各种…... -
标准解读 | 强制性国家标准《汽车车门把手安全技术要求》 征求意见稿
2025年9月24日，工业和信息化部就《汽车车门把手安全技术要求》强制性国家标准公开征求意见。该标准将全面规范车门把手产品性能，提升车门把手产品安全水平，保障人民群众生命财产安全。... -
SiC MOSFET技术路线及竞争格局
1、中国MOSFET行业竞争派系 MOSFET行业是技术壁垒较高的行业，在高压MOSFET依旧有部分尖端产品未实现国产替代的背景下，中国MOSFET行业可以划分为国内厂商和海外厂商两大派系，其中国内厂商数量较多，代表性的包括华润微电子、士兰微、韦尔半导体等，海外则包括英飞凌、安森美、 意法半导体 等厂商。随着国内厂商的技术水平持续上升，国内厂商在MOSFET市场中的市占率将呈现出增长的态势。 2、…... -
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资料下载|碳化硅功率器件 特性、测试和应用资料
本文档详细介绍了碳化硅功率器件的特性、测试和应用技术，涵盖了从基本理论到实际应用的广泛内容。以下是该文档的详细简介： 1. 功率半导体基础 Si功率器件的发展与不足：介绍了Si功率器件的历史发展、基本原理及其局限性。 SiC功率器件的优势：基于半导体材料特性，比较SiC功率器件与Si功率器件的优势。 SiC功率器件和封装的发展现状：介绍目前市场上商用SiC功率器件的技术水平和发展趋势。 2. SI…... -
650V-1200V-1700V-2000V-3300V的碳化硅功率器件应用及其设计
碳化硅具备耐高压、耐高温、高频率、抗辐射等优良电气特性，突破了硅基半导体材料的物理极限，是第三代半导体的核心材料之一。碳化硅（SiC）MOSFET或碳化硅（SiC）Module等功率电子器件是用于众多市场领域的主要技术构件。 SiC MOSFET或SiC Module与硅器件相比具有若干优势。SiC更高的击穿电压意味着可以使用更轻薄的器件来支持更高的电压，SiC相较于硅的其它优势还包括：@作为一种…... -
部署更快，自动化程度高！TOSUN同星线控底盘解决方案
在汽车智能化和电动化进程中，智能线控底盘相关的核心技术和产品成为了新能源汽车及智能驾驶产业的重点发展方向。同星智能作为行业先行者，精研汽车电子行业整体解决方案，提供基于TSMaster的底盘HIL仿真测试解决方案、EMB自动化测试解决方案。 一、底盘HIL仿真测试解决方案 基于TSMaster的HIL仿真测试系统，TSMaster作为唯一的测试软件，包含丰富的API函数，完整的外设集…... -
汽车座椅解锁装置直流电机EMC设计案例
车用直流电机EMC设计整改案例 需求描述汽车用座椅解锁装置 有刷直流电机 EMI达到CISPR 25 level 3 工作电压13.5V 工作电流500mA 堵转电流5A 方案规划 由于直流有刷电机的EMC噪声源主要自于电机的碳刷处，当电机电刷换向时，电机线圈会产生反电势，引起碳刷处的空气被击穿，产生火花并发出电磁干扰信号。前期设计在电机转子规划安装环形压敏电阻，在源头降低骚扰噪声。 仅仅增加环形…... -
标准解读|《GB 44495-2024 汽车整车信息安全技术要求》 解读
1. 背景 在与 tier1 的前期技术沟通中，我主要负责信息安全相关内容。在这个过程中，有一些技术和信息安全需求也是我第一次接触，学习到很多新的知识。 虽然最终的结果，我们并没有承接相关的信息安全需求开发。但是我就在思考，客户提出的这些信息安全是否在其它车型也需要，在以后的项目中是否也是必须具备的功能。于是，我查阅了相关资料和咨询相关人员，了解到《 GB 44495-2024 汽车整车信息安全技…... -
雷击、浪涌防护设计思考
1、浪涌冲击形成的机理 1.1、直击雷、感应雷产生的感应电压&电流 a：直接雷击于外部电路，注入的大电流流过接地电阻或外部电路阻抗而产生电压 b：在建筑物内、外导体上产生感应电压和电流的间接雷击 c：附近直接对地放电地雷电入地电流耦合到设备组接地系统的公共接地路径 1.2、大型开关切换瞬间感应电压&电流 a：主电源系统切换骚扰 b：配电系统内在仪器附近的轻微开关动作或者负荷变化 c…... -
铜铝排专题：铜排钝化、镀锡、镀镍，电池包中怎么选？
周五在群里面讨论电池包中铜排的表面处理方式，提到了钝化； 现在在铜排电池包内使用的场合就两个了，BDU内的铜排和母线铜排，那这些铜排到底采用镀锡、镀镍还是钝化方式处理呢？ 一、铜排钝化 1、铜排钝化是电镀工艺吗？ 钝化不是电镀工艺： 钝化是化学转化工艺，无需通电，只是通过铜排表面金属与无铬钝化剂（含钛、锆等成分）发生化学反应，膜层不导电，目的是防氧化； 电镀是电化学沉积工艺，需依赖稳定直流电源，通…... -
碳化硅器件应用于双向车载充电机的设计参考
电动汽车（EV）车载充电机（OBC）根据功率水平和功能有多种形式，充电功率从电动机车等应用中的不到2 kW，到高端电动汽车中的22 kW不等。传统上，充电功率是单向的，近年来，双向充电越来越受到关注。在双向OBC中，碳化硅（SiC）器件在中功率（6.6 kW）和高功率（11 - 22 kW）中的优势。 电动汽车（EV）直流快速充电机绕过安装在电动汽车上的车载充电机，直接为电池提供快…... -
风冷 SiC 逆变器的设计方法与封装集成
文章来源：中国电机工程学报 曾正 1，王金 1，陈昊 2，欧开鸿 1，余跃 1，张欣 3 (1．重庆大学；2．阿肯色大学电气工程系；3．南洋理工大学电气与电子工程学院) 摘要：SiC风冷逆变器省却了复杂的液冷系统，使电动汽车的动力系统更加紧凑。然而，风冷SiC 逆变器缺乏系统的设计方法和关键的封装集成路径。提出一种风冷SiC 逆变器的分层协同设计方法，包括功率模块、母线电容和散热器3个层次。在功率…...
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