一共78篇文章
专题：第8期
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Sic器件在高速永磁电机转速跟踪控制中的研究
摘 要：针对高速永磁同步电机(HSPMSM)的电感值小、基波频率高等特点，以及Si基IGBT开关速度和电压等级限制而引起的电机运行过程中定子电流谐波含量高、发热严重和响应延迟大的问题，研究SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) 在HSPMSM转速跟踪控制中的应用。通过双脉冲测试电路分析了SiC和Si器件的开关特性，结果表明SiCMOSFET具有更快的开关速度和更低的开关损耗。基于S…... -
碳化硅高速电机控制器设计及效能分析
碳化硅高速电机控制器设计及效能分析 以碳化硅(SiC) 器件为代表的宽禁带半导体器件，对比以绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 为代表的硅基半导 体功率器件，有开关损耗低、开关速度快、器件耐压高等优势。尤其是对于超高速电机控制器的开发，降低控制 器损耗和减小电机相电流谐波成分是关键，故将SiC MOSFET 作为电机控制的功率半导体元件成为了提升控 制器效率、减小控制器体积、优化控制效果的重要方法。此…...- 17
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分立器件并联的高功率密度碳化硅电机控制器设计
新能源车用的电机控制器通常通过大功率模块来完成，但大功率模块一般成本比较高，体积比较大，资源也有限。该文基于 SiC MOSFET 分立器件并联设计了一种高功率密度电机控制器，为了从电气和散热角度最大程度地提升材料和空间利用率，实现高功率密度以及分立器件的良好动静态均流，设计了一种新型的电子系统结构，并提出了一种能动态平衡并联 MOSFET 电流的高抗扰驱动电路以及可实现低寄生电感、大电流以及高散…...- 11
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HPD封装的SiC功率模块的应用与设计
🔍 HPD封装的技术背景与起源HPD封装起源于英飞凌对新能源汽车电驱系统的深度技术积累。2015年前后，英飞凌推出第一代HybridPACK™ Drive封装，主要针对硅基IGBT模块设计，旨在满足电动汽车对高功率密度和可靠性的需求。随着SiC功率器件的兴起，英飞凌在2019年推出兼容SiC的HPD封装版本，通过材料优化（如采用高温聚苯硫醚PPS材料）和工艺改进（如双面银烧结技术），使SiC模块的…...- 14
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电动汽车碳化硅逆变器设计
文章来源：湖南大学 作者：赵阳（工程硕士学位论文） 摘 要：碳化硅（Silicon Carbide，SiC）功率器件具有优越的性能，将SiC 功率器件应用于电动汽车逆变器内，能够显著减少逆变器的重量、体积和成本，提高电动汽车逆变器效率及性能。本文基于SiC MOSFET 设计制作了一款高效高功率密度电动汽车逆变器，主要研究内容有SiC 逆变器关键部件的选型计算、直流母线设计、水冷散热器设计等三个方…...- 6
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碳化硅MOSFET（SiC ）电机控制器
资料来源：深圳爱仕特（版权专有 违者必究） 前言： 电机控制器是新能源汽车中电池电能转换机械能的控制部分，功率控制模块是电机控制器中核心电能转换器件。功率控制模块所采用的半导体材料的性能优劣将直接影响整车电机控制器在响应速度、稳定性、灵敏程度、续航里程、充电速度等多个方面的表现。正是在这样的背景下，SiC（碳化硅）电机控制器应运而生。 SiC能够提升电控系统中低负载的效率，整车续航里程增长5~10…...- 9
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意法半导体：电驱逆变器SiC功率模块芯片级热分析
文章来源：意法半导体中国 摘要：本文提出一个用尺寸紧凑、高成本效益的DC/AC逆变器分析碳化硅功率模块内并联裸片之间的热失衡问题的解决方案，该分析方法是采用红外热像仪直接测量每颗裸片在连续工作时的温度，分析两个电驱逆变模块验证，该测温系统的验证方法是，根据栅源电压阈值选择每个模块内的裸片。我们将从实验数据中提取一个数学模型，根据Vth选择标准，预测当逆变器工作在电动汽车常用的电压和功率范围内时的热…...- 0
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新能源汽车用碳化硅SiC制作关键工艺
文章来源： 前言 相比硅基功率半导体，碳化硅功率半导体在开关频率、损耗、散热、小型化等方面存在优势，随着新能源车企特斯拉大规模量产碳化硅逆变器之后，更多的新能源车企也开始量化碳化硅器件产品。本文主要介绍碳化硅产品的应用方向和生产过程。 应用方向 车载领域，功率器件主要用在DCDC、OBC、电机逆变器、电动空调逆变器、无线充电等需要AC/DC快速转换的部件中（DCDC中主要充当快速开关）。 图源：博…...- 15
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1200V/840A碳化硅模块封装技术及驱动设计
文章来源：华侨大学作者：戴家庆摘要:碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，比传统的硅基器件具有更优越的性能。碳化硅SiC MOSFET作为一种新型宽禁带半导体器件，具有导通电阻低，开关损耗小的特点，可降低器件损耗，提升系统效率，更适合应用于高频电路。碳化硅SiC MOSFET这些优良特性，需要通过模块封装以及驱动电路系统，才能得到完美展现。为此，本文针对碳化硅SiC MOSFE的封装技术以及驱动设计进行…...- 0
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车用 SiC 电机驱动控制器用金属化膜电容研究
文章来源：中国电机工程学报 作者：李晔 1，范涛 1,2*，李琦 1,2，邰翔 1，温旭辉 1,2，蓝福武 3，陈渊伟3(1．中国科学院电工研究所；2．中国科学院大学；3．厦门法拉电子股份有限公司) 摘要：当功率模块使用碳化硅(silicon carbide，SiC)电子器件，其体积已大幅缩小，为实现控制器的高功率密度，需降低电容器体积。该文首先建立电容器设计参数和电机驱动控制器需求之间的函数关系…...- 2
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碳化硅控制器用冷却结构设计与测试
文章来源:微特电机 作者;陈登峰，秦基伟，陈雷（１．上海汽车电驱动有限公司，２．上海电驱动股份有限公司） 摘 要：碳化硅控制器在高频工况下工作时会产生大量的热量并导致其温度短时极剧升高，为保证控制器的正常工作，需要设计专门的冷却结构对其散热。针对一款碳化硅控制器的冷却需求，设计并详细介绍了与之相匹配的冷却结构。在冷却结构的散热条件下，对控制器的碳化硅模块及薄膜电容工作时的温度分布规律进行了热仿真分…...- 7
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碳化硅电驱动总成设计与测试
文章来源： 作者：陈登峰,宋君峰,位超群(上海汽车电驱动有限公司 上海汽车电驱动工程技术研究中心) 摘 要:基于进一步提升电驱动总成系统效率和功率密度的需求,设计了一款碳化硅三合一电驱动总成系统,介绍了碳化硅控制器和驱动电机的结构设计方案,并详细阐述了碳化硅三合一电驱动总成的冷却系统设计方案。为了进一步验证该碳化硅三合一电驱动总成系统的性能,对电驱动总成系统制作样机并搭建台架进行测试验证,测试结果…...- 12
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