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SiC MOSFET 结温监测与控制技术综述
文章来源：中国电机工程学报 作者：张擎昊 1，郑大勇 2，张品佳 1(1．电力系统及大型发电设备安全控制和仿真国家重点实验室(清华大学)，北京市海淀区 100084； 2．北京交通大学，北京市海淀区 100091) 摘要：碳化硅(silicon carbide，SiC)金属-氧化物-半导体场效应管 (metal-oxide-semiconductor field effect transisto…...- 0
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UDS统一诊断服务【二】ECU复位0X11服务
ECU复位服务，其服务ID是0x11，主要功能是控制ECU执行复位动作，主要用于Client向Server(ECU)请求重启行为，该重启行为将会导致Server复位回归到特定的初始状态。...- 1
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TSMaster小程序启动和停止的自动化控制流程
在实际应用场景中，用户常常需要按一定逻辑和时序来控制TSMaster内置功能模块的启动和停止，TSMaster软件内置有C/Python小程序和图形程序，开发者可以通过编程对这些模块的运行进行精确控制。本文将重点和大家分享一下如何通过C代码来控制TSMaster内置模块的启动与停止，本文大致内容如下： 窗口启动和停止函数 内置小程序控制其它小程序的启动和停止 COM实现对TSMaster工程中小程…...- 0
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SiC MOSFET 短路特性及过流保护研究
文章来源：中国电机工程学报 作者：王占扩 1，童朝南 1，黄伟超 2(1．北京科技大学自动化学院；2．北京市电力节能关键技术协同创新中心(北方工业大学) 摘要：为了提高电力电子装置中 SiC MOSFET 可靠性，对SiC MOSFET 短路特性和过流保护进行研究。首先在不同的母线电压和环境温度下，对处于短路状态的 SiC MOSFET的电流 IDS 和导通压降 VDS(ON)进行测量和分析，在此…...- 0
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碳化硅器件应用于双向车载充电机的设计参考
电动汽车（EV）车载充电机（OBC）根据功率水平和功能有多种形式，充电功率从电动机车等应用中的不到2 kW，到高端电动汽车中的22 kW不等。传统上，充电功率是单向的，近年来，双向充电越来越受到关注。在双向OBC中，碳化硅（SiC）器件在中功率（6.6 kW）和高功率（11 - 22 kW）中的优势。 电动汽车（EV）直流快速充电机绕过安装在电动汽车上的车载充电机，直接为电池提供快…...- 0
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动力电池电气系统安全设计（六）铜铝排基础
一、概述 铜铝排也称作母排，是截面为矩形的长导体，在动力电池中起到连接高压元器件和传送电能的功能。 在电气设计选型时，根据输入整车的基础参数工况，同时需要考虑温升、耐压、阻燃和振动等设计参数，在结构设计方面，又需要考虑铜铝排的尺寸、布置方式和折弯等因素，最终设计输出体现在温升、外观等性能参数上。 开发输入：整车功率/电压/电流/时间等工况； 设计参考：安装方向、绝缘层厚度、绝缘层材质使用温度、使用…...- 0
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基于 SiC MOSFET的车载氢燃料电池 DC/DC 变换器设计
文章来源：电子技术与软件工程 作者：刘铭 张文超（中车青岛四方机车车辆股份有限公司 山东省青岛市 266000） 摘 要：本文提出了一种以 SiC MOSFET 做为开关器件的氢燃料电池 DC/DC 变换器设计方案。该 DC/DC 变换器方案，采用模块化设计，以应对多组氢燃料电池的电力转化需求。模块采用三相交错并联升压电路拓扑。SiC 器件的应用和电路拓扑的选择设计使得该方案具有大功率、小体积、低…...- 0
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SiC MOSFET技术路线及竞争格局
1、中国MOSFET行业竞争派系 MOSFET行业是技术壁垒较高的行业，在高压MOSFET依旧有部分尖端产品未实现国产替代的背景下，中国MOSFET行业可以划分为国内厂商和海外厂商两大派系，其中国内厂商数量较多，代表性的包括华润微电子、士兰微、韦尔半导体等，海外则包括英飞凌、安森美、 意法半导体 等厂商。随着国内厂商的技术水平持续上升，国内厂商在MOSFET市场中的市占率将呈现出增长的态势。 2、…...- 0
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TSMaster小功能之总线负载率如何在图形里绘制曲线
今天给大家介绍TSMaster小功能之总线负载率如何在图形里绘制曲线，想要实现这个功能,需要借助TSMaster中的统计、图形/面板功能来实现。 步骤一 在C脚本启动事件里添加上com.enable_bus_statistics(true)，其作用是启用总线统计计时器以计算总线统计。 步骤二 运行C脚本后，在系统变量-内部变量就可以找到当前总线负载率变量。 为什么需要进行这一操作呢？这是因为内生系…...- 0
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如何在TSMaster面板和工具箱中实现多语言切换
TSMaster软件平台已经提供了多语言的支持，对于软件内部用户二次开发的模块如Panel和工具箱模块，TSMaster也提供了多语言的支持。这一特性让基于TSMaster开发的工程只需要制作对应的多语言文件，就可以同时满足国内外的需求，便于在公司内部和国内外合作伙伴进行协作。今天重点和大家分享一下关于TSMaster中面板和工具箱的多语言版本切换如何实现。 本文关键词：面板，工具箱，多语言切换；…...- 1
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动力电池模组系统安全设计（七）间隙计算问题和尺寸链计算
在动力电池模组系统安全设计（四）模组电芯间隙设计中，对电芯间隙和公差计算，大家反馈计算有误。 首先非常抱歉，由于没有仔细核对专利中的数据，给大家带来了困惑，经过这几天详细计算，发现问题还真多。 一、原文问题点 主要是两处： 1、电芯间隙计算： 按照20个电芯计算，算不出来3mm的电芯间隙，按照12个电芯可以算出来。 2、缓冲材料压缩率 按照1.35公差计算，缓冲材料压缩率也不准确，会得出负值，代表…...- 0
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云管端一体化OTA HIL测试解决方案
随着智能网联汽车的快速发展，OTA（Over-the-Air）技术已成为车辆软件升级的核心手段。为满足日益严格的法规要求和技术挑战，同星智能（TOSUN）基于ISO 24089和GB 44496标准，推出了一套云管端一体化OTA HIL测试系统，实现对OTA全流程的合规、高效、自动化验证。 一、OTA测试的背景与法规依据 国际与国内主要法规如UNECE R156、ISO 24089以…...- 1
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PACK热失控蔓延抑制技术（二）泄压设计
PACK热失控蔓延抑制技术（一）热失控机理和ARC测试 1.2 防爆阀设计 1.2.1 防爆泄压阀原理 防爆泄压阀把防水透气膜通过熔接等形式和塑胶、金属、硅胶等其他材料结合，形成可以密闭的安装组件。受外力作用下处于常闭状态（此状态下具有一定程度的透气性），当电池包内电芯短路温度急剧上升的气压升高超过规定值时，通过向电池包外排放气体来防止电池包内压力超过规定数值。 图7防爆泄压阀 1.2.2关键参数…...- 0
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颠覆传统HIL！同星仿真测试方案如何帮车企大幅降本增效？
在汽车电子研发领域，硬件在环（HIL）仿真测试一直是ECU开发验证的关键环节。然而，动辄百万的传统HIL系统，加上封闭的架构、复杂的部署流程，让无数工程师和中小企业望而却步。 现在，这一切正在改变。 基于TSMaster软件和TTS系统打造的轻量化HIL仿真测试解决方案，正在用全新的技术路径，重新定义HIL测试的成本、效率与灵活性。 01 传统HIL的痛点，我们太懂了 “一套HIL系统报价80…...- 0
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碳化硅功率器件的串扰问题及抑制方法
文章来源：广东电力（冯静波1,客金坤1,彭晗2,辛晴2,许航宇2,薛泓林3）(1. 先进输电技术国家重点实验室(国网智能电网研究院有限公司);2.华中科技大学 电气与电子工程学院;3. 国网山西省电力公司信息通信分公司)摘要:为了改善碳化硅功率器件的快速开关瞬态带来的串扰问题,研究碳化硅功率器件的驱动参数对串扰问题的影响,总结抑制串扰的驱动策略,并提出串扰抑制的谐振型驱动方法。首先,明确米勒电容和…...- 0
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碳化硅功率器件的性能分析与多芯片并联应用研究–碳化硅MOSFET&功率模块
碳化硅MOSFET 碳化硅MOSFET具有正向导通电阻低、开关速度快、驱动电路简单等优点。碳化硅MOSFET的漂移区相对较薄，它的正向导通电阻低，导通损耗也小。由于正向电阻小,所以相较于传统硅IGBT，在相同的耐压和导流能力条件下碳化硅MOSFET的面积可以更小，从而其结电容也更小（相对介电常数：碳化硅9.66，硅11.9，＠300K），较小的结电容使得器件的开关…...- 0
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软件更新 | 不止于升级！TSMaster 11月版发布，解锁六大核心功能新体验
TSMaster软件11月版本现已发布，本次更新聚焦于核心功能模块的深度优化与拓展，涵盖小程序易用性升级、API 更新、面板进阶、MBD功能升级、示例工程更新和新硬件支持等内容。...- 1
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广汽昊铂GT [星灵电子电气架构] 分析
2021年11月8日，广汽「 星灵电子电气架构 」正式发布，该架构实现了车端和云端之间的一体化集中计算，如下图所示。并且当时宣称在2023年落地量产。 ▲图1 星灵电子电气架构 如今2023年已经过去了，听说星灵电子电气架构在昊铂品牌车型上落地了，一起来看看落地的星灵架构。 首先从供电电路来看，与其他主机厂不同的是，确实如星灵架构宣传的电源备份，包括蓄电池和重要控制器供电备份，如下图所示，中央计算…...- 0
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资料下载|电动汽车 PMSM 永磁同步电机MTPA/MTPV 控制用 dq 电流查询表生成
本开源程序主要针对市场上热门的电 动汽车用内置式永磁同步电机基于查询表 的矢量控制算法，自动生成满足 MTPA（最 大转矩电流比）/MTPV（最大转矩电压比） 的 dq 轴电流参考值查询表。程序使用 m 脚 本文件编写，将生成的查询表以 C 语言二维 数组的形式输入到 txt 文本文件中，可直接 复制到应用程序中，避免工程师对数据进行 二次提取。详细数据输入到 excel 表格中， 可供分析使…...- 3
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SiC MOSFET 短路检测与保护研究综述
文章来源：电工技术学报 作者：吴海富张建忠赵进张雅倩（江苏省智能电网技术与装备重点实验室（东南大学）） 摘要：随着宽禁带半导体器件的发展，SiC MOSFET 被广泛应用于工业领域，其短路保护也越来越多地为人们所重视。本文首先对 SiC MOSFET 的短路类型进行讨论，给出不同短路类型下的主要电路波形；然后本文对近年来 SiC MOSFET 短路检测与保护方法进行概述，详细介绍去饱和检测法、电感…...- 0
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SiC MOSFET开通电流尖峰的分析及抑制
文章来源：电力电子技术 作者：孙 丽 敬 1、 张 雷２， 宋 振 浩1 、 郑 遵 宇２（１ ． 中 国 电 力 科 学 研 宄 院 有 限 公 司 ;２ ． 中 国 矿业大 学 ， 电 气 与 动 力 工 程 学 院 ） 摘 要 ： 在 桥 式 结 构 的 电 压 源 型 变 换 器 中 ，IGBT 器 件 需 要 反 并 联 二 极 管 以 保 证 续 流 。 而 碳 化 硅 （ SiC …...- 0
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