-
SiC 功率器件开关电路的功率损失计算
文章来源:罗姆(ROHM)半导体 摘要:SiC MOSFET 可作为开关器件用于各种开关电源中,确认电源电路的设计没有超过各设备所容许的损失是很重要的。怠慢这个的话器件可能会导致热破坏。该应用笔记中记载了使用SiC MOSFET 的开关电路中开关动作时 SiC MOSFET 产生的功率损失的计算方法。 损耗測定电路 作为测量功率器件开关参数的标准方法,有双脉冲测试。测量电路如 Figure 1 所…... 国产碳化硅器件
- 0
- 1
- 31
-
碳化硅器件的短路保护:设计准则和电路
文章来源:中国电机工程学报 作者:党子越,彭晗*,彭皓,康勇(强电磁工程与新技术国家重点实验室(华中科技大学电气与电子工程学院),湖北省武汉市 430074) 摘要:为了保障碳化硅(silicon carbide,SiC)在发生短路故障时可安全可靠的关断,需在掌握其短路特性基本规律的前提下,针对SiC 短路耐受时间较短、短路下器件漏源极电压拐点不明显等特征,展开去饱和保护电路(desaturat…... 国产碳化硅器件
- 0
- 1
- 51
-
新能源汽车:电机转速检测传感器——旋转变压器
1.简介 旋转变压器简称转变,又称同步分解器,依据电磁感应原理工作,用来测量旋转物体的旋转角度与角速度。旋变由定子绕组与转子组成,定子通常固定在电机轴端壳体上,转子固定在电机输出轴端。定子绕组通常有6个引脚。其中两个脚作为为励磁信号输入,一般由采集控制器固定输入一个正弦电信号(10KHZ)来提供励磁电流,其余两组引脚作为返回绕组,当电机旋转时产生感应电动势, 一般为一组为正弦电信号,一组为为与…... 电车小子
- 1
- 5
- 1.7k
-
UDS之DTC状态位介绍
DTC状态位包含8个bit,每个bit都有各自的含义,但是这8个 bit不一定都要支持,具体的看客户需求,各个主机厂可以根据自己的需求使用其中的几个,当然也可以全部使用。下图是UDS对DTC status这8个bit的解释... 爱知ev
- 1
- 3
- 3.9k
-
大功率SiC MOSFET 模块驱动技术研究
文章来源:机车电传动 作者:周帅1,2,张小勇1,饶沛南1,张庆1,施洪亮1(1.株洲中车时代电气股份有限公司;2. 变流技术国家工程研究中心) 摘 要 :为适应SiC MOSFET相比Si IGBT具有更快的开关速度、更低的工作损耗,同时开通阈值电压较低、短路耐量较弱等特点,研究了与其匹配的驱动技术。主要对漏极电压有源钳位、电路桥臂串扰抑制、过流检测等若干SiC MOSFET驱动技术进行研究,…... 国产碳化硅器件
- 0
- 1
- 56
-
10种封装的国产碳化硅(SiC)功率模块产品介绍及应用
在新基建和“双碳”战略目标指引下,第三代半导体技术(以SiC和GaN为主)的应用正在提速,并有望成为绿色经济的中流砥柱,引领新一轮产业革命。 在新能源领域需要各种节能和高效的产品和应用方案。凭借高耐压、高节温特性,SiC器件,特别是功率模块在新能源汽车、电网输配电、工业变频、轨道牵引、可再生能源等领域为实现高效、节能、轻量小型的电力转换设备做出贡献。 碳化硅模块在大功率电源中应用有一定的性能优…... 国产碳化硅器件
- 0
- 0
- 374
-
资料下载|自动驾驶求职面试问答指南资料
自动驾驶求职面试指南 一、背景介绍 本文档《自动驾驶求职面试指南》由一组在自动驾驶领域经验丰富的专家编写,旨在帮助求职者系统地掌握自动驾驶技术的核心要点,从而在面试中脱颖而出。文档涵盖了多传感器标定、BEV感知、Occupancy占用网络、多模态融合等多个方向,为求职者提供全面的技术支持和实战经验分享。 二、内容概述 多传感器标定:近20种算法详解。 BEV感知与部署:探讨BEV空间的感知与应用。…... 秋名山车神
- 1
- 12
- 509
-
铜铝排专题:铝排折弯
从上两期文章分析可知,在国内汽车充电高压电路中,并没有采用特斯拉的铝棒,而是铝排凭借轻量化与高导电特性成为主流选择。 从充电插座到电池包,铝排需在车内完成多次折弯转向,那么我们不禁要问,铝排是怎么折弯的?折弯过程中又需要考虑哪些关键因素? 一、铝排的折弯方式: 针对充电回路的布线需求,铝排主要通过三种折弯方式实现转向: 1、立弯(窄面弯曲) 是充电口附近的常用方式,适用于水平方向的转向。对于较窄的…... 彡彡厶厶
- 0
- 0
- 20
-
详解TSMaster CAN 与 CANFD 的 CRC&E2E 校验方法
面对切换工具链的用户来说,在 TSMaster 上完成总线通讯中的 CRC/E2E 校验处理不是特别熟悉,该文章可以协助客户快速使用 TSMaster 完成 CAN/CAN FD 总线通讯的 CRC/E2E 校验。 本文关键字:TSMaster,CAN/CANFD,CRC 校验,E2E 校验 1. CRC/E2E 在报文传输过程中的应用 典型应用:两个 CAN 节点(ECU)之间进行…... 同星智能
- 1
- 0
- 1.5k
-
碳化硅MOS及功率模块的应用和发展趋势
身为第三代的半导体材料--SiC具有宽带隙、热导率高、电子的饱和漂移速度大、临界击穿电场高,以及介电常数低、化学稳定性好等特点,成为制作高温、高频、大功率、抗辐照、短波长发光及光电整合元件的理想材料。在高频、大功率、耐高温、抗辐照的半导体元件及紫外探测器等方面,都具有广泛的应用前景。 SiC优越的半导体特性,未来将可为众…... 国产碳化硅器件
- 0
- 0
- 29
-
650V-1200V-1700V-2000V-3300V的碳化硅功率器件应用及其设计
碳化硅具备耐高压、耐高温、高频率、抗辐射等优良电气特性,突破了硅基半导体材料的物理极限,是第三代半导体的核心材料之一。碳化硅(SiC)MOSFET或碳化硅(SiC)Module等功率电子器件是用于众多市场领域的主要技术构件。 SiC MOSFET或SiC Module与硅器件相比具有若干优势。SiC更高的击穿电压意味着可以使用更轻薄的器件来支持更高的电压,SiC相较于硅的其它优势还包括:@作为一种…... 国产碳化硅器件
- 0
- 2
- 16
-
TSMaster MBD模块全解析:从模型搭建到自动化测试的完整实践
目录 1 符号说明 2 MBD 说明 3 MBD 基本功能介绍 4 Block(组件)说明 5 MBD 模型 6 MBD 工程搭建与解析 7 MBD 工程结果 8 组件相关 一、符号说明 关于手册 以下表格罗列了手册中使用到的样式和符号。 样式 使用场景 【】 表示点击的界面元素、窗口和对话框的名称。 加粗 用于文本信息的强调。 超链接 超链接和引用。 <CTRL>+&l…... 同星智能
- 3
- 6
- 396
-
动力电池配电盒BDU安全设计(十七)电气性能和预充回路测试
一、电源的缓升缓降测试 1、测试方法 BDU中的电器件应能满足《ISO 16750-2-2023 道路车辆 电气及电子设备的环境条件和试验 第2部分:电气负荷》 4.5中的电源的缓升缓降测试; 电源以每分钟(0.5±0.1)V的变化率,使电源电压Usmax(16V)下降到0V和从0V上升到Usmax(16V)。 2、接受准则 接触器不能瞬断和其它故障。试验过程中9-16V满足功能状态A,超出供电范…... 彡彡厶厶
- 1
- 0
- 24
-
TSMaster 9-10月版本发布:TAC脚本进阶,小程序易用性大幅提升
欢迎阅读 2025 年 9、10 月版 TSMaster 软件功能汇总!本月更新带来TAC 脚本全面进阶、 小程序易用性升级、API 更新、示例工程升级等亮点,进一步提升软件性能、灵活性与用户体验。以下内容帮助您快速掌握新功能,充分提升工作效率。 1、TAC 脚本全面增强 →【设计】-【C小程序】 更新功能:TAC脚本全面增强,现已支持高效简洁地操控报文与信号、读写系统变量…... 同星智能
- 0
- 0
- 72
-
全桥 DC-DC 变换器中 SiC 器件损耗分析
文章来源:电工技术 作者:李赫1, 郝欣2, 赵千淇1, 程旭峰1(1. 河北科技大学机械工程学院,; 2. 英飞凌科技(中国)有限公司) 摘 要 :目前以碳化硅(SiC)MOSFET 为代表的第三代宽禁带半导体有着高工作频率、低开关损耗、耐热性高等优点,可以有效地降低 DC/ DC 变换器的整体损耗,提升电能转换效率。 在以金属氧化物半导体场效晶体管(metal-oxide-semiconduc…... 国产碳化硅器件
- 0
- 0
- 14
-
SIC 碳化硅器件应用于电机驱动
变频调速(VFD)在工业和汽车领域得到了广泛的应用。其关键技术是利用半导体开关实现高频脉宽调制(PWM)。主要是在4到16khz的开关频率范围内工作的两电平逆变器产生三相正弦基波电压或电流来驱动电机。对于400V及以上的母线电压,IGBT占主导地位。随着宽频带间隙SiC MOSFET的出现,其优越的开关性能迅速引起电机驱动发展的高度关注。SiC MOSFET能够将开关损耗降低70%左右,或者在接近…... 国产碳化硅器件
- 0
- 0
- 23
-
北京科技大学:碳化硅高速电机控制器设计及效能分析
文章来源:北京科技大学-机械工程学院(冯明,侯东易,安嘉强) 摘要:以碳化硅(SiC)器件为代表的宽禁带半导体器件,对比以绝缘栅双极型晶体管(ICBT)为代表的硅基半导体功率器件,有开关损耗低、开关速度快、器件耐压高等优势。尤其是对于超高速电机控制器的开发,降低控制器损耗和减小电机相电流谐波成分是关键,故将SiCMOSFET作为电机控制的功率半导体元件成为了提升控制器效率、减小控制器体积、优化控制…... 国产碳化硅器件
- 0
- 1
- 28
-
动力电池CCS安全设计(五)FDC
在动力电池和储能领域,目前CCS市场应用主要以 FPC方案为主,今天介绍的FDC 凭借工艺简单、成本低的优势,正逐步在某些量产数量规模大的场合得到应用。 下面就分析一下为什么FDC开发成本高、应用量大就成本低的原因。 一、FDC 的定义与技术特点 1、定义 FDC指柔性模切线路板(Flexible Die-cutting Circuit),是以聚酰亚胺(PI)或聚酯(PET)薄膜和铜箔为基材,通过…... 彡彡厶厶
- 0
- 0
- 83
-
电子膨胀阀用于电动汽车热泵系统的实验研究
[摘要] 以R134a 电动汽车热泵空调系统为研究对象,在不同压缩机转速和室外环境温度下,实验研究了电子膨胀阀开度对热泵系统性能的影响规律。结果表明:在不同压缩机转速和室外温度下调节电子膨胀阀开度,压缩机吸排气特性变化趋势一致。随着电子膨胀阀开度的增加,压缩机吸气压力缓慢上升,吸气温度基本维持不变,而排气压力先增加后减小,排气温度显著降低。压缩机转速为2 000 r/min 和3 000 r/mi…... AzureDragon
- 0
- 1
- 421
-
动力电池配电盒BDU安全设计(十三)基本性能测试
不知道在那本书上看到,项目的每一个需求必须是可量化和可验证的,否则需求就是伪需求。测试实际上是对需求的对应,BDU的需求是什么? BDU主要是用来控制动力电池回路的通断(预充、上电、下电),质保和设计寿命还有安全必须达到电池包的要求。 由于在整车的电池包内,还需要承接电池包的环境影响。基本上,测试就是围绕项目需求和电池包的环境展开的。 先大致分了一下,准备分成以下几个部分讲解:基本性能、环境性能…... 彡彡厶厶
- 0
- 2
- 108
-
动力电池配电盒BDU安全设计(三十)小米SU7 BDU技术分析
BDU断断续续写了那么多内容,还没有整体的分析过。正好看到有小米SU7的BDU拆解,就结合着专利给大家分析下: 一、基本信息 小米BUD的专利发明申请公布号 CN 115102264 A,名称为:集成化配电盒、电池包及车辆,申请人:小米汽车科技有限公司。 实际BDU在电池包的维修仓位置和布线如下图。 二、BDU内部构造 1、壳体: 壳体还是比较规整的,含上壳体和下壳体,设有快充接口、慢充接口、电机…... 彡彡厶厶
- 0
- 1
- 83
-
南京航空航天大学:基于SiC 器件的隔离双向混合型LLC 谐振变换器
文章来源:电工技术学报 作者:朱小全.刘康.叶开文.蒋黎明.金科(南京航空航天大学自动化学院) 摘要:针对传统双有源桥型直流变换器的软开关范围窄、开关频率低等问题,该文提出一种隔离双向混合型 LLC 谐振变换器,适用于可再生能源分布式发电系统的储能结构中。在不增加使用额外器件的条件下,通过不同调制方案转换,该变换器可以在全桥变换器、双半桥变换器和单半桥变换器三种工作模式下混合运行。在变压器励磁电感…... 国产碳化硅器件
- 0
- 0
- 23






















































