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寄生电感引发SiC MOSFET高速开关时严重电压/电流振荡，增大损耗与EMI；优化布局、叠层母排、吸收电路及低感封装可有效抑制振荡，提升系统可靠性与效率。
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碳化硅功率模块封装与热管理技术创新显著，提升效率、可靠性，推动高压大功率应用革命！
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