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SiC MOSFET 雪崩可靠性验证实验平台研制
文章来源：实验科技与技术 作者：刘冬1，朱辰1，林超彪2，任娜2*，屈万园1（1. 浙江大学 国家卓越工程师学院，浙江 杭州 310015；2. 浙江大学 电气与工程学院 浙江 杭州 310015）摘要：为满足功率SiC MOSFET器件雪…
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