[国产碳化硅器件]最近的动态
杭州电子科技大学：SiC MOSFET 新型负压关断串扰抑制驱动电路
文章来源：中国电机工程学报作者：郑翔，杭丽君，曾庆威，闫东，陈克俭，赖宇帆，曾平良(区域能源互联网技术浙江省工程实验室(杭州电子科技大学)摘要：基于碳化硅(SiC)材料的第三代宽禁带功率器件的出现，推动着电力电子变换器朝着高频化、高功率密度…
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