[国产碳化硅器件]最近的动态
中国科学院：SiC MOSFET器件高温下最大电流导通能力评估方法
文章来源：电源学报 作者：李华康1 ，2 ，宁圃奇1 ,2 ，康玉慧1，曹 瀚 1，2 ，郑 丹1 (1. 中国科学院电工研究所；2. 中国科学院大学) 摘要：碳化硅（SiC）器件被认为是一种良好的耐高温半导体器件，高功率密度…
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