[国产碳化硅器件]最近的动态
全桥 DC-DC 变换器中 SiC 器件损耗分析
文章来源：电工技术 作者：李赫1, 郝欣2, 赵千淇1, 程旭峰1(1. 河北科技大学机械工程学院,; 2. 英飞凌科技(中国)有限公司) 摘 要 ：目前以碳化硅(SiC)MOSFET 为代表的第三代宽禁带半导体有着高工作频率、低开关损耗、…
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