[国产碳化硅器件]最近的动态
SiC MOSFET驱动特性及器件国产化后的影响分析
文章来源：电源学报 作者：姚常智（中国电源学会学生会员），张昊东，申宏伟，王建军（北京航天发射技术研究所） 摘要：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 SiC MOSFET作为一种新型，广泛应用的开关器件，在实际应用中具有更快的开关速度和更低…
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