天津工业大学:抑制 SiC MOSFET 瞬态电压尖峰的改进驱动电路设计 文章来源:科技创新与应用 作者:王文月 1,牛萍娟 2(1.天津工业大学 电气工程与自动化学院,天津 300000;2.天津工业大学 电子与信息工程学院,天津 300000) 摘 要:与硅器件相比,碳化硅金属氧化物半导体场效应管(SiC M… 赞 参与讨论{{item.data.meta.comment}}条讨论
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作者: 天津工业大学:抑制 SiC MOSFET 瞬态电压尖峰的改进驱动电路设计 文章来源:科技创新与应用 作者:王文月 1,牛萍娟 2(1.天津工业大学 电气工程与自动化学院,天津 300000;2.天津工业大学 电子与信息工程学院,天津 300000) 摘 要:与硅器件相比,碳化硅金属氧化物半导体场效应管(SiC M… 赞 参与讨论{{item.data.meta.comment}}条讨论
天津工业大学:抑制 SiC MOSFET 瞬态电压尖峰的改进驱动电路设计 文章来源:科技创新与应用 作者:王文月 1,牛萍娟 2(1.天津工业大学 电气工程与自动化学院,天津 300000;2.天津工业大学 电子与信息工程学院,天津 300000) 摘 要:与硅器件相比,碳化硅金属氧化物半导体场效应管(SiC M… 赞 参与讨论{{item.data.meta.comment}}条讨论