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哈尔滨工业大学：SiC MOSFET 隔离式高速驱动电路设计
文章来源：中国科技论文在线 作者：李刚，高强，金淼鑫，李晓璐（哈尔滨工业大学电气学院，哈尔滨 150006）摘要：近年来随着宽禁带器件的逐步商业化，其市场占有率迅速攀升。为了充分体现 SiC 器件的优势，本文以高温石油井下参数测量系统为背景…
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