[国产碳化硅器件]最近的动态
高环境温度高功率密度SiC电机驱动控制器设计与实现
文章来源：电工技术学报 作者：郑丹； 温旭辉；范涛； 宁圃奇 ；张 栋（高密度电磁动力与系统重点实验室（中国科学院） 中国科学院电工研究所 北京 100190） 摘要： 碳化硅（SiC）作为世界公认的替代硅（Si）的下一代半导体材料，具有耐…
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