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中国科技院：碳化硅 MOSFET 反向导通特性建模研究
文章来源：电 工 电 能 新 技 术 作者：周志达1,2, 葛琼璇1, 赵 鲁1, 杨 博1,2(1. 中国科学院电力电子与电气驱动重点实验室, 中国科学院电工研究所;2. 中国科学院大学,) 摘要: 碳化硅宽禁带半导体器件因其损耗小、开关…
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