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SiC MOSFET 开关损耗测试方法研究
文章来源：中国电机工程学报 作者：郑丹 1，张少昆 1，李磊 1,2，曹瀚 1,2，范涛 1,3*，宁圃奇 1,3，张瑾 1,3，温旭辉 1,2(1．中国科学院电力电子与电气驱动重点实验室(中国科学院电工研究所)；2．中国科学院大学；3．北…
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