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1200V/840A碳化硅模块封装技术及驱动设计
文章来源：华侨大学作者：戴家庆摘要:碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，比传统的硅基器件具有更优越的性能。碳化硅SiC MOSFET作为一种新型宽禁带半导体器件，具有导通电阻低，开关损耗小的特点，可降低器件损耗，提升系统效率，更适合应用于高频电…
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