碳化硅高速电机控制器设计及效能分析 碳化硅高速电机控制器设计及效能分析 以碳化硅(SiC) 器件为代表的宽禁带半导体器件,对比以绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 为代表的硅基半导 体功率器件,有开关损耗低、开关速度快、器件耐压高等优势。尤其是对于超高速电机控制器的开发,降低控制… 赞 参与讨论{{item.data.meta.comment}}条讨论
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作者: 碳化硅高速电机控制器设计及效能分析 碳化硅高速电机控制器设计及效能分析 以碳化硅(SiC) 器件为代表的宽禁带半导体器件,对比以绝缘栅双极型晶体管(IGBT) 为代表的硅基半导 体功率器件,有开关损耗低、开关速度快、器件耐压高等优势。尤其是对于超高速电机控制器的开发,降低控制… 赞 参与讨论{{item.data.meta.comment}}条讨论
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