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1200V/840A碳化硅模块封装技术及驱动设计
文章来源：华侨大学作者：戴家庆摘要:碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，比传统的硅基器件具有更优越的性能。碳化硅SiC MOSFET作为一种新型宽禁带半导体器件，具有导通电阻低，开关损耗小的特点，可降低器件损耗，提升系统效率，更适合应用于高频电路。碳化硅SiC MOSFET这些优良特性，需要通过模块封装以及驱动电路系统，才能得到完美展现。为此，本文针对碳化硅SiC MOSFE的封装技术以及驱动设计进行…...- 1
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资料下载|新能源汽车电机控制器开发培训视频
新能源 电机控制 器开发培训视频，专业机构培训的录制视频， 培训内容包含软件算法，硬件设计、开发体系、当前热点技术等详细讲解。内含旋变软解码、电流谐波补偿与谐波抑制算法讲解。只有培训视频没有PPT。 具体内容自行下载学习。...- 1
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永磁同步电机弱磁控制(超前角弱磁)
1.弱磁扩速理论 PMSM弱磁的思想来源于他励直流电动机的调磁控制。我们熟知，当他励直流电动机的端电压达到最大值之后，无法再用调压调速来提高转速，只有通过降低电动机的励磁电流，从而降低励磁磁通，实现在保证电压平衡的条件下，电机速度提升到额定转速以上。 永磁同步电机的励磁磁通是由永磁体提供的，这个磁通是恒定不变的。这个时候如果我们想降低磁通强度，就只能通过增大定子电流的去磁分量来削弱气隙磁通，这样才…...- 0
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碳化硅器件的特性优势和八大应用领域
随着节能减排.新能源汽车.再生能源发电.智能电网等领域的快速发展，电源和电控模块等行业对功率半导体器件的性能指标和可靠性的要求日益提高，要求器件有更高的工作电压.更大的电流承载能力.更高的工作频率.更高的效率.更高的工作温度.更强的散热能力和更高的可靠性。碳化硅功率器件能够大幅度提升电子器件的高压.高频.高功率与耐高温等工作特性，在电源.工控.再生能源发电.储能.电动汽车与电网等领域具有非常大的应…...- 1
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轻松了解功率MOSFET的雪崩效应
原创：安森美 在关断状态下，功率MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。MOSFET体二极管的击穿或雪崩表明反向偏置体二极管两端的电场使得漏极和源极端子之间有大量电流流动。典型的阻断状态漏电流在几十皮安到几百纳安的数量级。 根据电路条件不同，在雪崩、MOSFET漏极或源极中，电流范围可从微安到数百安。 额定击穿电压，也可称之为“BV”，通常是在给定温度范围（通常是整个工作…...- 0
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车用 SiC 电机驱动控制器用金属化膜电容研究
文章来源：中国电机工程学报 作者：李晔 1，范涛 1,2*，李琦 1,2，邰翔 1，温旭辉 1,2，蓝福武 3，陈渊伟3(1．中国科学院电工研究所；2．中国科学院大学；3．厦门法拉电子股份有限公司) 摘要：当功率模块使用碳化硅(silicon carbide，SiC)电子器件，其体积已大幅缩小，为实现控制器的高功率密度，需降低电容器体积。该文首先建立电容器设计参数和电机驱动控制器需求之间的函数关系…...- 0
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SIC 碳化硅器件应用于电机驱动
变频调速(VFD)在工业和汽车领域得到了广泛的应用。其关键技术是利用半导体开关实现高频脉宽调制(PWM)。主要是在4到16khz的开关频率范围内工作的两电平逆变器产生三相正弦基波电压或电流来驱动电机。对于400V及以上的母线电压，IGBT占主导地位。随着宽频带间隙SiC MOSFET的出现，其优越的开关性能迅速引起电机驱动发展的高度关注。SiC MOSFET能够将开关损耗降低70%左右，或者在接近…...- 0
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资料下载|电驱动重难点解析与对策完整培训资料
电动其汽车电机控制器设计详细指导文档，具体如下： 过调制 & MTPA & 弱磁 & MTPV 电压闭环反馈优化/扭矩查表法 电感磁链估算/磁链闭环查表法 信号采样补偿/静态/弱电电流 载波模式/频率/低速抖动/堵转 七段/五段/半频式/FFC SVPWM 力矩模型/结温模型/IdIqMap 电感/磁链标定/IGBT温度预测 基于EMM与IMM状态机控制...- 1
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资料下载|电驱高电压平台开发及面临的挑战
电驱高电压平台开发及面临的挑战,新能源电驱发展趋势，800V电机控制器IGBT，800V电驱EMC设计关键技术，800V电驱EMC设计关键技术..........- 0
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碳化硅MOSFET（SiC ）电机控制器
资料来源：深圳爱仕特（版权专有 违者必究） 前言： 电机控制器是新能源汽车中电池电能转换机械能的控制部分，功率控制模块是电机控制器中核心电能转换器件。功率控制模块所采用的半导体材料的性能优劣将直接影响整车电机控制器在响应速度、稳定性、灵敏程度、续航里程、充电速度等多个方面的表现。正是在这样的背景下，SiC（碳化硅）电机控制器应运而生。 SiC能够提升电控系统中低负载的效率，整车续航里程增长5~10…...- 0
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驱动电机新规GB/T18488-2024主要变化点解读
新规删除的要求 1、删除电压等级要求 现行标准规定驱动电机系统直流母线 额定电压 取36V~750V，已不适应电压平台高压化的发展，新规删除了相关限定。 2、删除驱动电机控制器壳体机械强度要求 现行标准规定驱动电机 控制器壳体 应能承受10 kPa 的压强，针对电控壳体单独提出的机械强度要求，已不适应“大三电”集成设计发展方向，新规删除了相关限定。...- 0
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功率半导体IGBT/SiC模块厂家分布格局
碳化硅（SiC），作为一种高性能的半导体材料，以其卓越的物理和化学性质在众多领域展现出非凡的应用潜力。它拥有极高的硬度，仅次于金刚石，且耐磨性极佳，能在极端恶劣环境下保持稳定的性能。SiC还具备出色的耐高温性，能在高达2000℃以上的环境中长期使用而不发生显著的性能退化，这一特性使其成为航空航天、能源及汽车工业中不可或缺的材料。 在半导体领域，SiC更是凭借其优异的导电性、高热导率以及良好的化学稳…...- 0
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电动汽车碳化硅逆变器设计
文章来源：湖南大学 作者：赵阳（工程硕士学位论文） 摘 要：碳化硅（Silicon Carbide，SiC）功率器件具有优越的性能，将SiC 功率器件应用于电动汽车逆变器内，能够显著减少逆变器的重量、体积和成本，提高电动汽车逆变器效率及性能。本文基于SiC MOSFET 设计制作了一款高效高功率密度电动汽车逆变器，主要研究内容有SiC 逆变器关键部件的选型计算、直流母线设计、水冷散热器设计等三个方…...- 0
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资料下载|旋转变压器软件解码simulink仿真
附件提供了旋转变压器软件解码的simulink仿真资源，主要包含电机角度和速度的测量方法。通过这个资源，您可以深入了解旋转变压器的工作原理和软件解码技术，并在simulink环境中进行仿真实验。以下是资源文件的简要说明：● 标题：旋转变压器软件解码simulink仿真● 描述：旋转变压器软件解码，simulink仿真 电机角度和速度测量该资源适用于电气工程及相关专业的学者和技术人员，尤其适合对旋转…...- 1
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如何玩转永磁同步电机堵转状态发热？
在新能源汽车驱动电机的应用中，经常有一个特殊的工况因其特殊的发热特性，而常常被人提到，这就是堵转（STALL TORQUE）工况。堵转工况主要在哪些场景下被提及的比较多呢？...- 1
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资料下载|新能源汽车电驱动技术手册
这份技术手册是新能源汽车电驱动领域的系统性权威资料，以清晰的章节架构覆盖从产业认知到技术落地、从核心部件到系统集成的全链条内容，融合海量实测数据、工程设计细节、典型应用案例与实操验证方法，兼具专业性与实用性，是新能源汽车行业技术人员、研发从业者及相关学习者深耕电驱领域的优质学习资源，诚邀下载深入研读。 核心章节内容概览 新能源汽车电驱动产业发展情况：明确新能源汽车的定义、分类与发展历程，详解202…...- 2
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资料下载|采用死区补偿算法的PMSM双闭环矢量控制仿真
采用死区补偿算法的PMSM双闭环矢量控制仿真 参考文献：《基于死区补偿的永磁同步电动机矢量控制系统研究王文韬》 《矢量控制电动执行器死区补偿新方法张冀》《一种新颖的电压源逆变器自适应死区补偿策略_周华伟》 模型 模型 文档...- 1
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资料下载|轴向磁通永磁无刷电机
以下两份文档均聚焦于轴向磁通永磁（AFPM）无刷电机领域，内容专业且系统，可满足该领域学习、研究与工程设计的需求，具体内容如下： 文档 1 该文档是轴向磁通永磁无刷电机领域的综合性专业资料，内容覆盖该类电机从基础理论到实际应用的全链条知识，结构清晰且实用性强，核心内容包括： 1. 基础引入（引言章节） 明确文档研究范围（仅聚焦盘式转子结构的 AFPM 电机，不含横向磁通等其他拓扑），对比 AFPM…...- 1
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资料下载|永磁同步电机PMSM控制算法解析与硬件设计说明说文档
文档详细介绍了FOC控制、TI28系列DSP的配置、无传感器控制方法、各种滤波算法、弱磁方法、TI官方例程代码、死区补偿等方法，理论齐全；...- 1
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SiC和Si技术之间的差异： 主要差异 、关键优势和不同的参数等
清洁能源技术的重视与芯片短缺问题 ，该领域迫切需要更高效 、更智能的解决方案。 一种新的半导体材料 ，碳化硅（SiC） ，正逐渐在电子行业中占据一席之地 。这种与硅类似的物质 ， 因其卓越的性能和高效能源效率而受到广大瞩目 。碳化硅首次由 美国发明家Edward G. Acheson在1891年发现 ， 当时他正在尝试制造人造钻石 。这一发现标志着一个传奇材料的诞生。...- 1
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IGBT和SiC栅极驱动基础知识
来源：微信号 auto_semi 高效电源转换在很大程度上取决于系统中使用的功率半导体器件。由于功率器件不断改进，大功率应用的效率正在越来越高并且尺寸越来越小。IGBT和SiC器件在高压应用领域备受青睐。 相对于硅基器件，SiC MOSFET的宽禁带材料特性使得其能够承受的电压更高，极间电容更小，开关速度快能够降低开关损耗，并且大幅降低滤波器的体积；驱动电压更高导通阻抗更低，更适合大功率场景下使用…...- 1
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